onsemi- IGBT

onsemi（前身为安森美半导体）是一家为绿色电子产品提供高性能、高能效硅解决方案的顶级供应商，总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司于1999年从摩托罗拉半导体部门分拆成立，逐步成长为全球半导体行业的创新者。核心业务涵盖电源管理、信号处理、逻辑、分立器件及定制半导体，服务于汽车、工业、通信、计算机、消费电子、医疗和军事/航空等市场。产品组合包括功率分立器件和模块，如MOSFET、IGBT以及EliteSiC品牌碳化硅器件，还有LDO、DC-DC转换器和控制器等电源管理IC。信号管理方面提供运算放大器、比较器、电压基准和数据转换器等产品。通过收购Catalyst Group，公司还拥有可编程存储器（EEPROM、闪存、NVRAM）以及数字电位计和微控制器监控电路。传感器产品线包括CMOS图像传感器、智能传感解决方案，以及激光雷达、超声波和接近传感器，用于高级驾驶辅助系统（ADAS）。公司在全球设有制造厂、设计中心和销售办事处，形成了增值型供应链网络，覆盖北美、欧洲和亚太地区。2009年公司收入为17.69亿美元，如今已成为《财富》美国500强企业和全球半导体前20强，尤其在汽车和工业功率半导体领域具有显著优势。

IGBT - 型号列表

共 2,758 个型号

制造商零件编号	库存	价格	RoHS	包装方式	封装形式	工作温度	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	配置	额定功率	晶体管类型	导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	首抽头延迟	安装样式	栅极触发电压 Vgt (最大)	安装类型	机械寿命	标准包装数量	供应商器件封装	产品类别	最大功率	位数	下降时间	上升时间（典型）	工厂包装数量	最大栅源电压 Vgs	击穿电压	最大功耗	通道类型	其他名称	标准封装名称	引脚样式	包装数量	FET类型	FET特性	元件数量	漏源电压（Vdss）	输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	连续漏极电流（Id）@ 25°C	Vgs(th)（最大）@ Id	导通电阻（最大）	峰值脉冲电流（10/1000µs）	宽度	供电电压	尺寸/外形	类型	结工作温度	欧盟RoHS	SVHC	海关税号	开通延迟时间	关断延迟时间	阈值电压	导通电阻 RDS(On)	电流传输比（最大）	峰值脉冲电流（8/20µs）	开关时间（Ton, Toff）（最大）	高度	长度	重量	极化	引脚数	冷却的封装	材料表面处理	极性	卡标准	总长度	外壳尺寸-插件	印刷电路板数量	栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	直流电阻（DCR）- 初级	抗辐射加固	噪声系数	额定输出功率	最大频率	漏电流（最大）	Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	最小输入电压	电流传输比（最小）	端接方式	触点电压（最大）	深度	胶带最大宽度	SMD标记	测试温度	峰值脉冲功率	钳位电压	电源线保护	电容 @ 频率	应用	输入类型	Td（开/关）@ 25°C	集电极电流（Ic）（最大）	集电极截止电流（最大）	集电极脉冲电流 (Icm)	测试条件	零件号别名	连接器类型 - 电压输入	通道数	浪涌电流	输出电流	双向通道数	最小供电电压	反向漏电流 @ Vr	端接样式	系列	端口方向	Vce饱和电压（最大）	最大额定电流	插片宽度	单向通道数
7 2N7000G Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 2N7000G, N-channel MOSFET Transistor 0.2A 60V, 3-Pin TO-92 MOSFET 60V 200mA N-Channel MOSFET, N, 60V, 0.2A, TO-92 MOSFET;N-Ch;VDSS60VDC;RDS(ON)5Ohms;ID200mA;TO-92(TO-226);PD350mW;-55degc ON Semiconductor , N沟道 MOSFET, 200 mA, Vds=60 V, 3针 TO-92封装 on semiconductor	400	18: ¥3.808	Lead free / RoHS Compliant	Bulk	3TO-92	-55 to 150 °C	60 V	Single	0.35 W	N-Channel	5000@10V mOhm	200 mA	10 ns	Through Hole	+/- 20 V	Through Hole	-	Boxed, Bulk	TO-92-3	MOSFET	350mW	3	-	-	1000	±20 V	60 V	0.35 W	Enhancement	-	-	-	-	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	Standard	1	60V	60pF @ 25V	200mA (Ta)	3V @ 1mA	5 Ω	0.2 A	4.19mm	-	5.2 x 4.19 x 5.33mm	Small Signal	+150°C	-	:No SVHC (20-Jun-2013)	85331000	10ns	10ns	:3V	:5ohm	100Micromhos	:500mA	10(Max) ns	5.33mm	5.2mm	0.27	N-Channel	:3	TO-92	:MSL 1 - Unlimited	N	Small Signal	-	-	-	-	-	No	Not Required dB	Not Required dB	Not Required MHz	0.2 A	Not Required %	-	0.0001 S	:Through Hole	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	:S(1)G(2)D(3)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
10 2N7002LT1G Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 2N7002LT1G, N-channel MOSFET Transistor 0.115A 60V, 3-Pin SOT-23 MOSFET, N, SOT-23 N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA SOT-23, FULL REEL MOSFET;N-Ch;VDSS60VDC;RDS(ON)7.5Ohms;ID+/-115mA;SOT-23(TO-236);PD225mW;-55 ON Semiconductor , N沟道 MOSFET, 115 mA, Vds=60 V, 3针 SOT-23封装 MOSFET 60V 115mA N-Channel on semiconductor	283204	100: ¥0.68	Lead free / RoHS Compliant	Tape and Reel	3SOT-23	-55 to 150 °C	60V	Single	-	:N Channel	7500@10V mOhm	±115mA	40(Max) ns	-	-	Surface Mount	-	Tape & Reel	SOT-23-3 (TO-236)	-	225mW	3	-	-	-	±20 V	60 V	0.3 W	Enhancement	2N7002LT1GOSTR	SOT-23	Gull-wing	SOT-23	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	Logic Level Gate	1	60V	50pF @ 25V	115mA (Tc)	2.5V @ 250µA	7.5 Ω	0.115 A	1.3mm	-1.5V	2.9 x 1.3 x 0.94mm	-	+150°C	Compliant	:No SVHC (20-Jun-2013)	85412900	20ns	40ns	:2.5V	:7.5ohm	80Millimhos	:800mA	20(Max) ns	0.94mm	2.9mm	0.000033	N-Channel	:3	SOT-23	:MSL 1 - Unlimited	-	Small Signal	2.9	0.94	3	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	:60V	:2.5mm	:8mm	:702	:25°C	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
5 1SMB20CAT3 TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors 20V 600W Diode TVS Single Bi-Dir 20V 600W 2-Pin SMB T/R TVS DIODE 20VWM 32.4VC SMB ON Semiconductor	4986	34: ¥1.003	RoHS Compliant	Reel	DO-214AA	- 65 C	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Surface Mount	Obsolete	2,500	SMB	TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors	-	2	-	-	2500	-	22.2 V	-	-	1SMB20CAT3OSTR	DO-214-AA	J-Lead	SMB	-	-	1	-	-	-	-	-	-	3.81(Max)	20V	3.81(Max) mm W x 4.57(Max) mm L	Zener	-65 to 150	-	-	-	-	-	-	-	-	18.5	-	-	-	-	-	-	-	-	Bidirectional	-	4.57(Max)	2.41(Max)	2	-	-	-	-	-	-	-	-	20	-	-	-	-	-	-	-	600 W	32.4 V	No	425pF @ 1MHz	General Purpose	-	-	-	-	-	-	-	-	1 Channel	18.5 A	1	1	20 V	5	SMD/SMT	1SMB10CAT3G	Bi-Directional	-	-	-	-
2 MGP15N40CL IGBT Transistors 15A 410V Ignition Trans IGBT Chip N-CH 440V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail IGBT 440V 15A 150W TO220AB ON Semiconductor	-		No	Tube	TO-220-3	+ 150 C	2.25V @ 4V, 15A	Single	150 W	-	-	-	-	Through Hole	-	Through Hole	Obsolete	50	TO-220AB	IGBT Transistors	150W	3	-	-	50	22 V	-	150000	N	MGP15N40CLOS	TO-220	Through Hole	TO-220AB	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	440 V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	150 W	-	-	-	-	-	-	-	440	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Logic	-/4µs	15 A	15	50A	300V, 6.5A, 1 kOhm	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	10 V	-	-	-
7 BSS123LT1G Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 BSS123LT1G, N-channel MOSFET Transistor 0.17A 100V, 3-Pin SOT-23 MOSFET 100V 170mA N-Channel MOSFET, N CH, 100V, 170MA, SOT-23-3 MOSFET, N, SOT-23 MOSFET,Power;N-Ch;VDSS100VDC;RDS(ON)5Ohms;ID0.17A;SOT-23(TO-236);PD225mW ON Semiconductor , N沟道 MOSFET, 170 mA, Vds=100 V, 3针 SOT-23封装 on semiconductor	4881000	3000: ¥0.3244	Lead free / RoHS Compliant	Tape and Reel	3SOT-23	-55 to 150 °C	100 V	Single	0.225 W	N-Channel	6000@10V mOhm	170 mA	40 ns	SMD/SMT	+/- 20 V	Surface Mount	-	Tape & Reel	SOT-23-3 (TO-236)	MOSFET	225mW	3	-	-	3000	±20 V	100 V	0.225 W	Enhancement	BSS123LT1GOSTR	SOT-23	Gull-wing	SOT-23	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	Logic Level Gate	1	100V	20pF @ 25V	170mA (Ta)	2.8V @ 1mA	6 Ω	0.17 A	1.3mm	1.3V	2.9 x 1.3 x 0.94mm	Power MOSFET	+150°C	Compliant	:No SVHC (16-Dec-2013)	85412900	20ns	40ns	:20V	:5ohm	80Millimhos	:680mA	20 ns	0.94mm	2.9mm	0.000033	N-Channel	:3	SOT-23	:MSL 1 - Unlimited	N	Power MOSFET	2.9	0.94	3	-	-	No	Not Required dB	Not Required dB	Not Required MHz	0.17 A	Not Required %	-	0.08 S	-	:100V	:2.5mm	:8mm	:SA	:25°C	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	:170mA	-	-
8 BSS138LT1G Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 BSS138LT1G, N-channel MOSFET Transistor 0.2A 50V, 3-Pin SOT-23 MOSFET, N CH, 50V, 200MA, SOT-23-3 MOSFET, N, 50V, 0.2A, SOT-23 MOSFET,Power;N-Ch;VDSS50VDC;RDS(ON)3.5Ohms;ID200mA;SOT-23(TO-236);PD225mW ON Semiconductor , N沟道 MOSFET, 200 mA, Vds=50 V, 3针 SOT-23封装 MOSFET 50V 200mA N-Channel on semiconductor	6127	46: ¥0.7398	Lead free / RoHS Compliant	Tape and Reel	3SOT-23	-55 to 150 °C	50 V	Single	0.225 W	:N Channel	3500@5V mOhm	0.2 A	20 ns	-	-	Surface Mount	-	Tape & Reel	SOT-23-3 (TO-236)	-	225mW	3	-	-	-	±20 V	50 V	0.225 W	Enhancement	BSS138LT1GOSTR	SOT-23	Gull-wing	SOT-23	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	Logic Level Gate	1	50V	50pF @ 25V	200mA (Ta)	1.5V @ 1mA	3.5 Ω	0.2 A	1.3mm	-	2.9 x 1.3 x 0.94mm	Power MOSFET	+150°C	Compliant	:No SVHC (16-Dec-2013)	85411000	20ns	20ns	:1.5V	:3.5ohm	100Millimhos	-	20(Max) ns	0.94mm	2.9mm	0.000033	N-Channel	:3	SOT-23	:MSL 1 - Unlimited	N	Power MOSFET	-	-	-	-	-	No	Not Required dB	Not Required dB	Not Required MHz	0.2 A	Not Required %	-	-	:SMD	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
SSP1N60B_Q MOSFET N-Ch/600V/1a/12Ohm onsemi	-		No	Tube	TO-220	+ 150 C	600 V	Single	34 W	N-Channel	12 Ohms	1 A	25 ns	Through Hole	+/- 30 V	-	Obsolete	-	-	MOSFET	-	-	35 ns	45 ns	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FQU7N20LTU MOSFET onsemi	-		No	Rail	IPAK	+ 150 C	200 V	Single	2.5 W	N-Channel	0.75 Ohms	5.5 A	20 ns	Through Hole	+/- 20 V	-	Obsolete	-	-	-	-	-	65 ns	125 ns	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FQI30N06LTU MOSFET onsemi	-		No	Rail	I2PAK	+ 175 C	60 V	Single	3.75 W	N-Channel	0.035 Ohms	32 A	60 ns	SMD/SMT	+/- 20 V	-	Obsolete	-	-	-	-	-	110 ns	210 ns	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FQI5N50TU MOSFET onsemi	-		No	Rail	I2PAK	+ 150 C	500 V	Single	3.13 W	N-Channel	1.8 Ohms	4.5 A	25 ns	SMD/SMT	+/- 30 V	-	Obsolete	-	-	-	-	-	35 ns	55 ns	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FDC6302P_Q MOSFET SSOT-6 P-CH -25V onsemi	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2 2SK3745LS MOSFET HIGH-VOLTAGE POWER MOSFET MOSFET N-CH 1500V 2A TO-220FI ON Semiconductor	24	1: ¥27.812	RoHS Compliant	Bulk	TO-220FP-3	+ 150 C	1500 V	Single	35 W	N-Channel	10 Ohms	2 A	-	Through Hole	+/- 20 V	Through Hole	-	100	TO-220FI(LS)	-	2W	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	Standard	-	1500V (1.5kV)	380pF @ 30V	2A (Ta)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	37.5nC @ 10V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRFU420BTU MOSFET 500V N-Channel B-FET onsemi	-		RoHS Compliant	Tube	IPAK	+ 150 C	500 V	Single	2.5 W	N-Channel	2.6 Ohms	2.3 A	40 ns	Through Hole	+/- 30 V	-	Obsolete	-	-	MOSFET	-	-	35 ns	30 ns	70	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	3.5 S	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	IRFU420BTU_NL	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IRLR220ATF MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level Trans MOSFET N-CH 200V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R onsemi	-		RoHS Compliant	Reel	TO-252	+ 150 C	200 V	Single	2.5 W	N-Channel	0.8 Ohms	4.6 A	24 ns	SMD/SMT	+/- 20 V	Surface Mount	Obsolete	-	-	MOSFET	-	3	6 ns	6 ns	2000	±20	200	2500	N	-	DPAK	Gull-wing	DPAK	-	-	1	-	-	-	-	800@5V	4.6	6.1	-	-	-	-	Compliant	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	6.6	2.3	2	-	3.3 S	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	IRLR220ATF_NL	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Tab	-
FQI6N70TU MOSFET onsemi	-		No	Rail	I2PAK	+ 150 C	700 V	Single	3.13 W	N-Channel	1.5 Ohms	6.2 A	55 ns	SMD/SMT	+/- 30 V	-	Obsolete	-	-	-	-	-	50 ns	70 ns	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2 NTR0202PLT3G MOSFET -20V -400mA P-Channel Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23 ON Semiconductor	-		RoHS Compliant	Reel	SOT-23	+ 150 C	- 20 V	Single	0.225 W	P-Channel	0.55 Ohms	- 0.4 A	18 ns	SMD/SMT	+/- 20 V	Surface Mount	Obsolete	10,000	SOT-23-3 (TO-236)	MOSFET	225mW	3	6 ns	6 ns	10000	±20	20	225	Enhancement	-	SOT-23	Gull-wing	SOT-23	MOSFET P-Channel, Metal Oxide	Logic Level Gate	1	20V	70pF @ 5V	400mA (Ta)	2.3V @ 250µA	800@10V	0.4	-	-	-	-	-	Compliant	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	2.18nC @ 10V	0.5 S	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1SMB10AT3 TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors 10V 600W TVS DIODE 10VWM 17VC SMB Diode TVS Single Uni-Dir 10V 600W 2-Pin SMB T/R ON Semiconductor	10	1: ¥1.50	Contains lead / RoHS non-compliant	Tape & Reel (TR)	DO-214AA, SMB	-65°C ~ 150°C	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Surface Mount	-	2,500	SMB	-	-	-	-	-	-	-	11.1V	-	-	1SMB10AT3OSTR	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	10V	-	Zener	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	600W	17V	No	1460pF @ 1MHz	General Purpose	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	1
NGD15N41CLT4 IGBT Transistors 15A 410V Ignition Trans IGBT Chip N-CH 440V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IGBT 440V 15A 107W DPAK ON Semiconductor	-		Contains lead / RoHS non-compliant	Tape and Reel	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	175	2.1V @ 4.5V, 10A	-	-	-	-	-	-	-	-	Surface Mount	-	2,500	DPAK-3	-	107W	3	-	-	-	15	-	107000	N	NGD15N41CLT4OSTR	DPAK	Gull-wing	DPAK	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	440V	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	440	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Logic	-/4µs	15A	15	50A	300V, 6.5A, 1 kOhm	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2 NTD85N02RT4 MOSFET 24V 85A N-Channel MOSFET N-CH 24V 12A DPAK ON Semiconductor	3150	1713: ¥1.4892	No	Reel	DPAK	+ 150 C	24 V	Single	2.4 W	N-Channel	0.0048 Ohms	85 A	25 ns	SMD/SMT	+/- 20 V	Surface Mount	Obsolete	2,500	D-Pak	MOSFET	1.25W	-	12 ns	77 ns	2500	-	-	-	-	NTD85N02RT4OS	-	-	-	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	Logic Level Gate	-	24V	2050pF @ 20V	12A (Ta), 85A (Tc)	2V @ 250µA	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	17.7nC @ 5V	38 S	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N7008_D26Z MOSFET DISC BY MFG 2/02 onsemi	-		No	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Obsolete	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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onsemi- IGBT

IGBT - 型号列表

导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs

漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）

集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic

封装形式

额定功率

首抽头延迟

其他名称

上升时间（典型）

工厂包装数量

击穿电压

最大功耗

供应商器件封装

标准包装数量

最大功率

Vgs(th)（最大）@ Id

导通电阻（最大）

漏源电压（Vdss）

输入电容（Ciss）（最大）@ Vds

连续漏极电流（Id）@ 25°C

包装方式

工作温度

供电电压

下降时间

峰值脉冲电流（10/1000µs）

RoHS

最大栅源电压 Vgs

阈值电压

峰值脉冲电流（8/20µs）

宽度

标准封装名称

包装数量

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs

直流电阻（DCR）- 初级

产品类别

海关税号

晶体管类型

关断延迟时间

导通电阻 RDS(On)

电流传输比（最大）

开关时间（Ton, Toff）（最大）

尺寸/外形

类型

引脚样式

总长度

外壳尺寸-插件

SVHC

FET类型

FET特性

开通延迟时间

漏电流（最大）

电流传输比（最小）

栅极触发电压 Vgt (最大)

高度

长度

重量

端接方式

安装类型

安装样式

冷却的封装

位数

极性

通道类型

卡标准

结工作温度

触点电压（最大）

SMD标记

印刷电路板数量

峰值脉冲功率

钳位电压

最小输入电压

电容 @ 频率

集电极电流（Ic）（最大）

零件号别名