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BSS138LT1G

制造商	onsemi
描述	Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23 BSS138LT1G, N-channel MOSFET Transistor 0.2A 50V, 3-Pin SOT-23 MOSFET, N CH, 50V, 200MA, SOT-23-3 MOSFET, N, 50V, 0.2A, SOT-23 MOSFET,Power;N-Ch;VDSS50VDC;RDS(ON)3.5Ohms;ID200mA;SOT-23(TO-236);PD225mW ON Semiconductor , N沟道 MOSFET, 200 mA, Vds=50 V, 3针 SOT-23封装 MOSFET 50V 200mA N-Channel
分类	分立半导体元件IGBT分立IGBT

商业参数

其他名称	BSS138LT1GOSTR	标准包装数量	Tape & Reel
标准封装名称	SOT-23

合规参数

RoHS	Lead free / RoHS Compliant	SVHC	:No SVHC (16-Dec-2013)
欧盟RoHS	Compliant	海关税号	85411000
抗辐射加固	No

电气参数

FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	最大栅源电压 Vgs	±20 V
FET特性	Logic Level Gate	最大功率	225mW
噪声系数	Not Required dB	额定功率	0.225 W
额定输出功率	Not Required dB	开通延迟时间	20ns
最大频率	Not Required MHz	晶体管类型	:N Channel
关断延迟时间	20ns	首抽头延迟	20 ns
元件数量	1	Vgs(th)（最大）@ Id	1.5V @ 1mA
击穿电压	50 V	阈值电压	:1.5V
导通电阻 RDS(On)	:3.5ohm	导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	3500@5V mOhm
最大功耗	0.225 W	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	50 V
漏电流（最大）	0.2 A	导通电阻（最大）	3.5 Ω
电流传输比（最大）	100Millimhos	开关时间（Ton, Toff）（最大）	20(Max) ns
Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	Not Required %	漏源电压（Vdss）	50V
峰值脉冲电流（10/1000µs）	0.2 A	漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	0.2 A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	50pF @ 25V	连续漏极电流（Id）@ 25°C	200mA (Ta)

机械参数

宽度	1.3mm	高度	0.94mm
长度	2.9mm	重量	0.000033
包装方式	Tape and Reel	引脚样式	Gull-wing
端接方式	:SMD	极化	N-Channel
安装类型	Surface Mount	引脚数	:3
封装形式	3SOT-23	冷却的封装	SOT-23
材料表面处理	:MSL 1 - Unlimited	包装数量	SOT-23
尺寸/外形	2.9 x 1.3 x 0.94mm	位数	3
供应商器件封装	SOT-23-3 (TO-236)

产品信息

类型	Power MOSFET	极性	N
通道类型	Enhancement	卡标准	Power MOSFET
配置	Single

环境参数

工作温度

-55 to 150 °C

结工作温度

+150°C

文档与媒体

BSS138LT1-D.PDF

BSS138LT1 Datasheet

1596366.pdf

2SA1020-D.PDF

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