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SSP1N60B_Q

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SSP1N60B_Q

制造商
onsemi
描述MOSFET N-Ch/600V/1a/12Ohm
分类

商业参数

产品类别MOSFET

合规参数

RoHSNo

电气参数

下降时间35 ns额定功率34 W
上升时间(典型)45 ns晶体管类型N-Channel
首抽头延迟25 ns导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs12 Ohms
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic600 V栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 30 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)1 A

机械参数

包装方式Tube安装样式Through Hole
封装形式TO-220

产品信息

配置Single

环境参数

机械寿命Obsolete工作温度+ 150 C