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2N7002LT1G

制造商	onsemi
描述	Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 2N7002LT1G, N-channel MOSFET Transistor 0.115A 60V, 3-Pin SOT-23 MOSFET, N, SOT-23 N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA SOT-23, FULL REEL MOSFET;N-Ch;VDSS60VDC;RDS(ON)7.5Ohms;ID+/-115mA;SOT-23(TO-236);PD225mW;-55 ON Semiconductor , N沟道 MOSFET, 115 mA, Vds=60 V, 3针 SOT-23封装 MOSFET 60V 115mA N-Channel
分类	分立半导体元件IGBT分立IGBT

商业参数

其他名称	2N7002LT1GOSTR	标准包装数量	Tape & Reel
标准封装名称	SOT-23

合规参数

RoHS	Lead free / RoHS Compliant	SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant	海关税号	85412900

电气参数

FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	最大栅源电压 Vgs	±20 V
FET特性	Logic Level Gate	最大功率	225mW
开通延迟时间	20ns	晶体管类型	:N Channel
关断延迟时间	40ns	首抽头延迟	40(Max) ns
供电电压	-1.5V	元件数量	1
Vgs(th)（最大）@ Id	2.5V @ 250µA	击穿电压	60 V
阈值电压	:2.5V	导通电阻 RDS(On)	:7.5ohm
触点电压（最大）	:60V	导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	7500@10V mOhm
最大功耗	0.3 W	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	60V
导通电阻（最大）	7.5 Ω	电流传输比（最大）	80Millimhos
峰值脉冲电流（8/20µs）	:800mA	开关时间（Ton, Toff）（最大）	20(Max) ns
漏源电压（Vdss）	60V	峰值脉冲电流（10/1000µs）	0.115 A
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	±115mA	输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	50pF @ 25V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	115mA (Tc)

机械参数

深度	:2.5mm	宽度	1.3mm
高度	0.94mm	长度	2.9mm
重量	0.000033	包装方式	Tape and Reel
引脚样式	Gull-wing	极化	N-Channel
安装类型	Surface Mount	引脚数	:3
封装形式	3SOT-23	冷却的封装	SOT-23
材料表面处理	:MSL 1 - Unlimited	总长度	2.9
包装数量	SOT-23	尺寸/外形	2.9 x 1.3 x 0.94mm
胶带最大宽度	:8mm	位数	3
外壳尺寸-插件	0.94	供应商器件封装	SOT-23-3 (TO-236)

产品信息

SMD标记	:702	通道类型	Enhancement
卡标准	Small Signal	配置	Single
印刷电路板数量	3

环境参数

测试温度	:25°C	工作温度	-55 to 150 °C
结工作温度	+150°C

文档与媒体

2N7002L-D.PDF

2N7002L Datasheet

97418.pdf

1747988.pdf

3711403559153602n7002l-d.pdf

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