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2N7002-T1-E3

制造商	Vishay Intertechnology, Inc.
描述	Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R MOSFET 60V 0.115A 0.2W MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 2N7002-T1-E3, N-channel MOSFET Transistor 0.115A 60V, 3-Pin SOT-23 MOSFET,N CH,60V,0.115A,SOT23 TRANSITOR,2N7002
分类	集成电路逻辑IC标准逻辑IC

商业参数

其他名称	2N7002-T1-E3CT	零件号别名	2N7002-E3
产品类别	MOSFET	标准包装数量	Tape & Reel
工厂包装数量	3000	标准封装名称	SOT-23

合规参数

RoHS	RoHS Compliant	欧盟RoHS	Compliant
海关税号	85412900	抗辐射加固	No

电气参数

FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	最大栅源电压 Vgs	±20 V
FET特性	Logic Level Gate	最大功率	200mW
噪声系数	Not Required dB	额定功率	200 mW
额定输出功率	Not Required dB	最大频率	Not Required MHz
晶体管类型	N-Channel	回波损耗（最小）	:80mA/V
元件数量	1	Vgs(th)（最大）@ Id	2.5V @ 250µA
击穿电压	60 V	阈值电压	:2.1V
最大额定电流	:115mA	导通电阻 RDS(On)	:7.5ohm
触点电压（最大）	:60V	导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	7500@10V mOhm
最大功耗	0.2 W	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	60 V
漏电流（最大）	0.115 A	导通电阻（最大）	7.5 Ω
峰值脉冲电流（8/20µs）	:800mA	Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	Not Required %
漏源电压（Vdss）	60V	峰值脉冲电流（10/1000µs）	0.115 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 20 V	漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	0.115 A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	50pF @ 25V	连续漏极电流（Id）@ 25°C	115mA (Ta)

机械参数

深度	:2.5mm	宽度	1.4mm
高度	1.02mm	长度	3.04mm
重量	0.000033	包装方式	Reel
引脚样式	Gull-wing	端接方式	:SMD
安装类型	Surface Mount	安装样式	SMD/SMT
引脚数	:3	封装形式	3SOT-23
冷却的封装	SOT-23	材料表面处理	:-
包装数量	SOT-23	尺寸/外形	3.04 x 1.4 x 1.02mm
胶带最大宽度	:8mm	位数	3
供应商器件封装	TO-236

产品信息

类型	Power MOSFET	极性	N
SMD标记	:72	通道类型	Enhancement
卡标准	Power MOSFET	配置	Single

环境参数

测试温度

:25°C

工作温度

-55 to 150 °C

文档与媒体

PDF 文档

70226.pdf

PDF 文档

2N7000,02,VQ1000J/P,BS170 Datasheet

在线文档

doc?70226

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