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2N7002-7-F
| 制造商 | Diodes Incorporated |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R N-CH MOS 0,210A 60V SOT23 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 MOSFET 60V 200mW MOSFET, N CH, 60V, 0.115A, SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET MOSFET N, 60 V 0.115 A 0.3 W SOT-23, 2N7002-7-F, Diodes Incorporated |
| 分类 |
商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | 2N7002-FDICT | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 海关税号 | 85412100 | 汽车级 | AEC-Q(101) |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 300mW |
| 额定功率 | 0.3 W | 下降时间（典型） | 5.6 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 7.6 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA | 击穿电压 | 60 V |
| 阈值电压 | :2.5V | 最大额定电流 | :800mA |
| 导通电阻 RDS(On) | :13.5ohm | 触点电压（最大） | :60V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 7500@5V mOhm | 最大功耗 | :300mW |
| 传播延迟（最大） | 3 ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 70 V |
| 每端口功率（瓦） | 0.370W | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 60V |
| 电流传输比（最小） | 0.08 S | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 2.8 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.21 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.210A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 50pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 115mA (Ta) |
机械参数
| 重量 | 0.000008 | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 端接方式 | :SMD | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3SOT-23 | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | ||
产品信息
| 极性 | N-CHANNEL | 匹配码 | 2N7002-7-F |
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
| 标准交期 | 11 weeks | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
文档与媒体
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