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2N7002
| 制造商 | Infineon Technologies AG |
| 描述 | MOSFET N-Channel 60V 0.3A SOT23 Infineon , N沟道 MOSFET, 300 mA, Vds=60 V, 3针 SOT-23封装 |
| 分类 |
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电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | 开通延迟时间 | 3 ns |
| 输出功能 | 增强 | 晶体管类型 | Si |
| 关断延迟时间 | 5.5 ns | 首抽头延迟 | 5.5 ns |
| 供电电压 | 60 V | 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 4 Ω | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V |
| 击穿电压 | 60 V | 最大功耗 | 0.5 W |
| 导通电阻（最大） | 4 Ω | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 0.4 nC V @ 10 |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 3 ns | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.30 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 13 pF V @ 25 | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 300 mA |
机械参数
| 宽度 | 1.3mm | 高度 | 1mm |
| 长度 | 2.9mm | 安装类型 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 | 冷却的封装 | PG-SOT-23 |
| 包装数量 | SOT-23 | 尺寸/外形 | 2.9 x 1.3 x 1mm |
| 位数 | 3 | ||
产品信息
| 功能 | Y | 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Small Signal | 配置 | Quad Drain, Triple Source |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||