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2N7002K-T1-GE3
| 制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R N-CH-MOSFET+ESD 0,3A 60V SOT23 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 MOSFET 60V 300mA 0.35W 2.0ohm @ 10V MOSFET, N-CH, 60V, 0.3A, SOT23 MOSFET,N CH,60V,0.3A,DIODE,SOT23 N CHANNEL MOSFET, 60V, 300mA TO-236, FULL REEL Vishay , N沟道 MOSFET, 300 mA, Vds=60 V, 3针 SOT-23封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | 2N7002K-T1-GE3CT | 零件号别名 | 2N7002K-GE3 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 | 标准封装名称 | SOT-23 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85411000 | 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 栅极电荷 | 0.4 nC |
| 最大功率 | 350mW | 额定功率 | 0.35 W |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 35(Max) ns |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 60 V | 阈值电压 | :2V |
| 最大额定电流 | :300mA | 导通电阻 RDS(On) | :2ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 2000@10V mOhm | 最大功耗 | :350mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V | 漏电流（最大） | 0.3 A |
| 每端口功率（瓦） | 0.2W | 导通电阻（最大） | 2000@10V |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 60V | 电流传输比（最小） | 100 mS |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 0.6nC @ 4.5V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 25(Max) ns |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.3 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.3A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 30pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 300mA (Ta) |
机械参数
| 宽度 | 1.4(Max) | 重量 | 0.000008 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | 3SOT-23 |
| 冷却的封装 | SOT-23 | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 总长度 | 3.04(Max) | 包装数量 | SOT-23 |
| 位数 | 3 | 外壳尺寸-插件 | 1.02(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-236 | ||
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 系列 | 2N7002K |
| 已删除 | Compliant | 极性 | N-CHANNEL |
| 匹配码 | 2N7002K-T1-GE3 | 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single | 标准交期 | 15 weeks |
| 印刷电路板数量 | 3 | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
文档与媒体
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