点击放大查看

2N7000G

制造商	onsemi
描述	Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 2N7000G, N-channel MOSFET Transistor 0.2A 60V, 3-Pin TO-92 MOSFET 60V 200mA N-Channel MOSFET, N, 60V, 0.2A, TO-92 MOSFET;N-Ch;VDSS60VDC;RDS(ON)5Ohms;ID200mA;TO-92(TO-226);PD350mW;-55degc ON Semiconductor , N沟道 MOSFET, 200 mA, Vds=60 V, 3针 TO-92封装
分类	分立半导体元件IGBT分立IGBT

对参数有疑问？问 AI 助手

商业参数

产品类别	MOSFET	标准包装数量	Boxed, Bulk
工厂包装数量	1000

合规参数

RoHS	Lead free / RoHS Compliant	SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
海关税号	85331000	抗辐射加固	No

电气参数

FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	最大栅源电压 Vgs	±20 V
FET特性	Standard	最大功率	350mW
噪声系数	Not Required dB	额定功率	0.35 W
额定输出功率	Not Required dB	开通延迟时间	10ns
最大频率	Not Required MHz	晶体管类型	N-Channel
关断延迟时间	10ns	首抽头延迟	10 ns
元件数量	1	Vgs(th)（最大）@ Id	3V @ 1mA
击穿电压	60 V	阈值电压	:3V
导通电阻 RDS(On)	:5ohm	导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	5000@10V mOhm
最大功耗	0.35 W	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	60 V
漏电流（最大）	0.2 A	连接器类型 - 电压输入	:S(1)G(2)D(3)
导通电阻（最大）	5 Ω	电流传输比（最大）	100Micromhos
电流传输比（最小）	0.0001 S	峰值脉冲电流（8/20µs）	:500mA
开关时间（Ton, Toff）（最大）	10(Max) ns	Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	Not Required %
漏源电压（Vdss）	60V	峰值脉冲电流（10/1000µs）	0.2 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 20 V	漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	200 mA
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	60pF @ 25V	连续漏极电流（Id）@ 25°C	200mA (Ta)

机械参数

宽度	4.19mm	高度	5.33mm
长度	5.2mm	重量	0.27
包装方式	Bulk	端接方式	:Through Hole
极化	N-Channel	安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole	引脚数	:3
封装形式	3TO-92	冷却的封装	TO-92
材料表面处理	:MSL 1 - Unlimited	尺寸/外形	5.2 x 4.19 x 5.33mm
位数	3	供应商器件封装	TO-92-3

产品信息

类型	Small Signal	极性	N
通道类型	Enhancement	卡标准	Small Signal
配置	Single

环境参数

工作温度

-55 to 150 °C

结工作温度

+150°C

文档与媒体

PDF 文档

PDF 文档

PDF 文档

PDF 文档

相关型号

2N7000G

on semiconductor

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 2N7000G, N-channel MOSFET Transistor 0.2A 60V, 3-Pin TO-92 MOSFET 60V 200mA N-Channel MOSFET, N, 60V, 0.2A, TO-92 MOSFET;N-Ch;VDSS60VDC;RDS(ON)5Ohms;ID200mA;TO-92(TO-226);PD350mW;-55degc ON Semiconductor , N沟道 MOSFET, 200 mA, Vds=60 V, 3针 TO-92封装

¥0.5040

详情