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SI4435DDY-T1-E3
| 制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 描述 | Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V MOSFET, P CH, 30V, 11.4A, 8SOIC Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.1A; 2.5W; SO8 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 2500 | 单位包装 | 2500 |
| 其他名称 | SI4435DDY-T1-E3CT | 零件号别名 | SI4435DDY-E3 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 2500 | 标准封装名称 | SOIC |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 12 ns, 16 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 5W | 额定功率 | 2.5 W |
| 下降时间（典型） | 12|16 ns | 上升时间（典型） | 8 ns, 35 ns |
| 晶体管类型 | P-Channel | 首抽头延迟 | 45|40 ns |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 V | 阈值电压 | :-3V |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.0195ohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 24@10V mOhm |
| 最大功耗 | :5W | 传播延迟（最大） | 8|35 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 导通电阻（最大） | 24@10V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 50nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 10|42 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 8.1 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 8.1 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1350pF @ 15V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 8.1A (Ta), 11.4A (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 4(Max) | 重量 | 0.002 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :8 | 封装形式 | 8SOIC N |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 5(Max) |
| 包装数量 | SOIC N | 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.5(Max) | 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
产品信息
| SPG | 1000 | 极性 | unipolar |
| 通道类型 | P | 配置 | Single |
| 单元数量 | 1 | 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
文档与媒体
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