点击放大查看
IRF9333PBF
| 制造商 | Infineon Technologies AG |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF9333TRPBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装 MOSFET 20V FETKY-30V MOSFET 19.4mOhms 14nC |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 工厂包装数量 | 95 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | 栅极电荷 | 14 nC |
| 开通延迟时间 | 16 ns | 输出功能 | 增强 |
| 晶体管类型 | 单 | 关断延迟时间 | 55 ns |
| 供电电压 | 30 V | 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 19.4 mΩ | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.4V |
| 平均正向功率 | 2.5 W | 最大功耗 | 2500 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 30 V | 导通电阻（最大） | 32.5 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±20 V | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1110 pF @ 25 V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 9.2 A | ||
机械参数
| 宽度 | 3.99mm | 高度 | 1.57mm |
| 长度 | 4.98mm | 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | 表面贴装 | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 8 | 封装形式 | SO-8 |
| 包装数量 | SOIC | 尺寸/外形 | 4.98 x 3.99 x 1.57mm |
产品信息
| 系列 | HEXFET | 功能 | Y |
| 技术 | Si | 通道类型 | P |
| 制造商全称 | Infineon / IR | 卡标准 | 功率 MOSFET |
环境参数
| 工作温度 | 150 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
PDF 文档
相关型号
SI3552DV-T1-E3
vishay / siliconix
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP MOSFET;Dual; Complementary; 30V; 2.5/1.8A; TSOP-6 MOSFET 30V 2.5/1.8A MOSFET,Dual,Complementary,30V,2.5/1.8A,TSOP-6
¥20.5485
详情
暂无图片
SI3552DV-T1-E3
Vishay Intertechnology, Inc.
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R
详情