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SI3552DV-T1-E3
| 制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 描述 | Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6-Pin TSOP T/R MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP MOSFET;Dual; Complementary; 30V; 2.5/1.8A; TSOP-6 MOSFET 30V 2.5/1.8A MOSFET,Dual,Complementary,30V,2.5/1.8A,TSOP-6 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 商标名 | TrenchFET |
| 单位包装 | 3000 | 其他名称 | SI3552DV-T1-E3CT |
| 零件号别名 | SI3552DV-E3 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | TSOP | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | N and P-Channel | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 1.15W |
| 额定功率 | 1.15 W | 开通延迟时间 | 7/8ns |
| 下降时间（典型） | 5@N Channel|7@P Channel ns | 晶体管类型 | N and P-Channel |
| 关断延迟时间 | 13/12ns | 首抽头延迟 | 13@N Channel|12@P Channel ns |
| 供电电压 | 0.81/-0.83V | 元件数量 | 2 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 250µA | 击穿电压 | 30 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 105@10V@N Channel|200@10V@P Channel mOhm | 最大功耗 | 1.15W |
| 传播延迟（最大） | 9@N Channel|12@P Channel ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | +/- 30 V |
| 导通电阻（最大） | 0.105/0.2Ohms | 电流传输比（最大） | 4.3/2.4S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 3.2nC @ 5V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 7@N Channel|8@P Channel ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 2.5@N Channel|1.8@P Channel A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 2.5 A, 1.8 A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2.5A, 1.8A | ||
机械参数
| 宽度 | 1.65 mm | 高度 | 1.1 mm |
| 长度 | 3.05 mm | 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing | 极化 | N-ChannelandP-Channel |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 6TSOP | 总长度 | 3.05 |
| 包装数量 | TSOP | 位数 | 6 |
| 外壳尺寸-插件 | 1(Max) | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
产品信息
| 类型 | Complementary | 系列 | TrenchFET® |
| 技术 | Si | 通道类型 | N|P |
| 制造商全称 | Vishay Semiconductors | 配置 | Dual |
| 印刷电路板数量 | 6 | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | 自然散热热阻 | 130°C/W |
