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CSD86350Q5D
| 制造商 | Texas Instruments Incorporated |
| 描述 | Synchronous Buck NexFET Power Block 8-Pin SON T/R MOSFET N-CH 25V 40A 8SON Synchronous Buck NexFET™ Power Block MOSFET Pair Texas Instruments 双 N沟道 Si MOSFET 模块 , 120 A, Vds=25 V, 8针 SON封装 MOSFET Synch Buck NexFET Pwr Block MOSFET |
| 分类 |
商业参数
| 商标名 | NexFET | 其他名称 | 296-27532-2 |
| 标准包装数量 | Cut Tape, Tape & Reel | 工厂包装数量 | 2500 |
| 标准封装名称 | SON | ||
合规参数
| RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 零件状态 | ACTIVE | 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 电流 | 25 | FET类型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 下降时间 | 21 ns | 最大栅源电压 Vgs | 10 |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 13W |
| 功率等级 | 2.8 | 开通延迟时间 | 8 ns,9 ns |
| 输出功能 | 增强 | 上升时间(典型) | 23 ns |
| 晶体管类型 | Si | 关断延迟时间 | 9 ns, 24 ns |
| 供电电压 | 25 V | 通道数量 | 2 Channel |
| 元件数量 | 2 | 输入电阻 | 1.1 mΩ,5 mΩ |
| Vgs(th)(最大)@ Id | 2.1V @ 250µA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 20A, 8V |
| 平均正向功率 | 13 W | 最大功耗 | 13 W |
| 集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic | 25 | 导通电阻(最大) | 5 mOhms, 1.1 mOhms |
| 栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 10.7nC @ 4.5V | 漏源电压(Vdss) | 25V |
| 输入电容(Ciss)(最大)@ Vds | 1870pF @ 12.5V | 连续漏极电流(Id)@ 25°C | 40A |
机械参数
| 宽度 | 5.1mm | 高度 | 1.5mm |
| 长度 | 6.1mm | 包装方式 | Tape and Reel |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 8 | 封装形式 | 8SON |
| 冷却的封装 | SON | 总长度 | 5.1(Max) |
| 包装数量 | SON | 尺寸/外形 | 6.1 x 5.1 x 1.5mm |
| 位数 | 8 | 外壳尺寸-插件 | 1.05(Max) |
| 供应商器件封装 | 8-SON (5x6) | ||
产品信息
| 类型 | Synchronous Buck MOSFET Driver | 系列 | NexFET™ |
| 已删除 | Compliant | 功能 | Y |
| 软件 | SLPS223E | 技术 | Si |
| 通道类型 | N | 制造商全称 | Texas Instruments |
| 配置 | PowerBlock | 图案编号 | Y |
| 开发套件 | CSD86350Q5DEVM-604 | 功能框图 | alt_slps223e.gif |
| 使用的IC/零件 | View | 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 测试温度 | -55 to 150 | 工作温度 | N/A to 125 °C |
| 结工作温度 | 125C | ||
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