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CSD17304Q3
| 制造商 | Texas Instruments Incorporated |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SON T/R MOSFET N-CH 30V 56A 8SON MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET |
| 分类 |
商业参数
| 商标名 | NexFET | 其他名称 | 296-27509-2 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Cut Tape, Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 2500 | 标准封装名称 | SON |
合规参数
| RoHS | Contains lead / RoHS compliant by exemption | 欧盟RoHS | Compliant |
| 零件状态 | ACTIVE | 抗辐射加固 | No |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 3.1 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 5.1 nC | 最大功率 | 2.7W |
| 噪声系数 | Not Required dB | 额定功率 | 2.7 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB | 下降时间（典型） | 3.1 ns |
| 最大频率 | Not Required MHz | 上升时间（典型） | 9.1 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 10.4 ns |
| 通道数量 | 1 Channel | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.8V @ 250µA | 击穿电压 | 30 V |
| 最大额定电流 | Catalog | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 7.5@8V mOhm |
| 平均正向功率 | 2.7 W | 最大功耗 | 2700 |
| 传播延迟（最大） | 9.1 ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 漏电流（最大） | 15 A | 逻辑电压 - VIL, VIH | Yes |
| 导通电阻（最大） | 8.8 mOhms | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 6.6nC @ 4.5V |
| 峰值脉冲电流（8/20µs） | 88 | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 5.1 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 15 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 8 V, + 10 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 15 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 955pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 15A (Ta), 56A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 3.3 | 高度 | 1 mm |
| 长度 | 3.3 mm | 包装方式 | Tape and Reel |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 8SON | 冷却的封装 | SON |
| 总长度 | 3.3 | 包装数量 | SON |
| 位数 | 8 | 外壳尺寸-插件 | 1 |
| 供应商器件封装 | 8-SON | ||
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 系列 | CSD17304Q3 |
| 已删除 | Compliant | 极性 | N |
| 软件 | SLPS258A | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Texas Instruments |
| 配置 | Single | 图案编号 | Y |
| 使用的IC/零件 | View | 其他规格 | 1.1 |
| 印刷电路板数量 | 8 | ||
环境参数
| 测试温度 | -55 to 150 | 工作温度 | -55 to 150 °C |
文档与媒体
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