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SI7848BDP-T1-GE3
| 制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin PowerPAK SO T/R MOSFET N-CH 40V 47A PPAK 8SOIC MOSFET, N CH, 40V, 47A, POWERPAK MOSFET 40V 47A 36W 9.0mohm @ 10V |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 1 | 单位包装 | 0 |
| 其他名称 | SI7848BDP-T1-GE3CT | 标准包装数量 | Tape & Reel |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 36W |
| 下降时间（典型） | 10 ns | 晶体管类型 | :N Channel |
| 首抽头延迟 | 25|30 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 250µA | 击穿电压 | 40 V |
| 阈值电压 | :3V | 导通电阻 RDS(On) | :0.0074ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 9@10V mOhm | 最大功耗 | :36W |
| 传播延迟（最大） | 12|15 ns | 导通电阻（最大） | 9@10V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 50nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 25|10 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 16 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2000pF @ 20V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 47A (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 5.89 | 重量 | 0.0001 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | No Lead |
| 安装类型 | Surface Mount | 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8PowerPAK SO | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 总长度 | 4.9 | 包装数量 | PowerPAK SO |
| 位数 | 8 | 外壳尺寸-插件 | 1.04 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | ||
产品信息
| 通道类型 | Enhancement | 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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