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IRF740LCPBF

制造商	Vishay Intertechnology, Inc.
描述	Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB IRF740LCPBF, N-channel MOSFET Transistor 10A 400V, 3-Pin TO-220AB MOSFET N-Chan 400V 10 Amp MOSFET, N, 400V, 10A, TO-220 MOSFET,Power;N-Ch;VDSS400V;RDS(ON)0.55Ohm;ID10A;TO-220AB;PD125W;VGS+/-30V MOSFET N, 400 V 10 A 125 W TO-220, IRF740LCPBF, Vishay Vishay , N沟道 MOSFET, 10 A, Vds=400 V, 3针 TO-220AB封装
分类	分立半导体元件IGBT分立IGBT

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商业参数

最小起订量	1000	单位包装	50
其他名称	*IRF740LCPBF	产品类别	MOSFET
标准包装数量	Bulk, Rail / Tube	工厂包装数量	1000
标准封装名称	TO-220

合规参数

RoHS	Lead free / RoHS Compliant	欧盟RoHS	Compliant
海关税号	85412900	抗辐射加固	No

电气参数

FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	下降时间	20 ns
最大栅源电压 Vgs	±30 V	FET特性	Standard
最大功率	125W	开启时间	:31ns
额定功率	125 W	开通延迟时间	11ns
下降时间（典型）	20 ns	上升时间（典型）	31 ns
晶体管类型	N-Channel	关断延迟时间	:30ns
首抽头延迟	25 ns	供电电压	2V
元件数量	1	Vgs(th)（最大）@ Id	4V @ 250µA
击穿电压	400 V	阈值电压	:4V
最大额定电流	:10A	导通电阻 RDS(On)	:550mohm
触点电压（最大）	:400V	导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	550@10V mOhm
最大功耗	125 W	传播延迟（最大）	31 ns
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	400 V	导通电阻（最大）	0.55 Ω
电流传输比（最大）	3S	栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	39nC @ 10V
峰值脉冲电流（8/20µs）	:32A	开关时间（Ton, Toff）（最大）	11 ns
漏源电压（Vdss）	400V	峰值脉冲电流（10/1000µs）	10 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 30 V	漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	10 A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	1100pF @ 25V	连续漏极电流（Id）@ 25°C	10A (Tc)

机械参数

宽度	4.7mm	高度	9.01mm
长度	10.41mm	重量	0.002
包装方式	Tube	插片宽度	Tab
引脚样式	Through Hole	端接方式	:Through Hole
极化	N-Channel	安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole	引脚数	:3
封装形式	3TO-220AB	冷却的封装	TO-220AB
材料表面处理	:-	总长度	10.41(Max)
包装数量	TO-220AB	尺寸/外形	10.41 x 4.7 x 9.01mm
位数	3	外壳尺寸-插件	9.01(Max)
供应商器件封装	TO-220AB

产品信息

类型	Power MOSFET	已删除	Compliant
极性	N	通道类型	Enhancement
卡标准	Power MOSFET	配置	Single
印刷电路板数量	3

环境参数

热阻	:1°C/W	工作温度	-55 to 150 °C
结工作温度	+150°C

文档与媒体

PDF 文档

Packaging Information

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91528.pdf

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