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CSD17306Q5A

制造商	Texas Instruments Incorporated
描述	Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin SON EP T/R MOSFET N-CH 30V 100A 8SON MOSFET, N CH, 30V, 100A, 8SON 30V N Channel NexFET™ Power MOSFET Texas Instruments N沟道 Si MOSFET 晶体管 , 100 A, Vds=30 V, 8针 SON封装 MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
分类	分立半导体元件IGBT分立IGBT

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商业参数

其他名称

296-25856-2

标准包装数量

Tape & Reel

合规参数

RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant	海关税号	85412900
零件状态	ACTIVE	抗辐射加固	No

电气参数

FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	最大栅源电压 Vgs	10 V
FET特性	Standard	最大功率	3.2W
额定功率	3.2 W	下降时间（典型）	6.4 ns
晶体管类型	:N Channel	首抽头延迟	18.4 ns
元件数量	1	Vgs(th)（最大）@ Id	1.6V @ 250µA
击穿电压	30 V	阈值电压	:1.1V
最大额定电流	:100A	导通电阻 RDS(On)	:2.9mohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	3.7@8V mOhm	最大功耗	:3.2W
传播延迟（最大）	13.1 ns	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	30 V
逻辑电压 - VIL, VIH	Yes	导通电阻（最大）	3.7@8V
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	15.3nC @ 4.5V	峰值脉冲电流（8/20µs）	155
开关时间（Ton, Toff）（最大）	7.8 ns	漏源电压（Vdss）	30V
峰值脉冲电流（10/1000µs）	24 A	漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	24 A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	2170pF @ 15V	连续漏极电流（Id）@ 25°C	24A (Ta), 100A (Tc)

机械参数

宽度	5.75	重量	0.0001
包装方式	Tape and Reel	安装类型	Surface Mount
引脚数	:8	封装形式	8SON EP
冷却的封装	SON EP	材料表面处理	:MSL 1 - Unlimited
总长度	4.9	包装数量	SON EP
位数	8	外壳尺寸-插件	1
供应商器件封装	8-SON (5x6)

产品信息

类型	Power MOSFET	极性	N
软件	SLPS253A	通道类型	Enhancement
配置	Single	使用的IC/零件	View
其他规格	2.4	印刷电路板数量	8

环境参数

测试温度

-55 to 150

工作温度

-55 to 150 °C

文档与媒体

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在线文档

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