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CSD16410Q5A

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CSD16410Q5A

制造商
Texas Instruments Incorporated
描述Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin SON EP T/R MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON FET, N CH, SINGLE, 25V, 8SON N-Channel NexFET™ Power MOSFET
分类
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商业参数

商标名NexFET其他名称296-24254-2
产品类别MOSFET标准包装数量Tape & Reel
工厂包装数量2500

合规参数

RoHSRoHS CompliantSVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85423190
零件状态ACTIVE抗辐射加固No

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide下降时间3.6 ns
最大栅源电压 Vgs16 VFET特性Logic Level Gate
栅极电荷3.9 nC最大功率3W
噪声系数Not Required dB额定功率3 W
额定输出功率Not Required dB下降时间(典型)3.6 ns
最大频率Not Required MHz上升时间(典型)10.7 ns
晶体管类型N-Channel首抽头延迟6.5 ns
元件数量1Vgs(th)(最大)@ Id2.3V @ 250µA
击穿电压25 V阈值电压:1.9V
最大额定电流:59A导通电阻 RDS(On):6.8mohm
触点电压(最大):25V导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs8.5@10V mOhm
最大功耗:3W传播延迟(最大)10.7 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic25 V漏电流(最大)16 A
逻辑电压 - VIL, VIHYes导通电阻(最大)0.0085 ohm
电流传输比(最小)38 S栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs5nC @ 4.5V
峰值脉冲电流(8/20µs)158直流电阻(DCR)- 初级38 S
开关时间(Ton, Toff)(最大)6.2 nsVce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)25V峰值脉冲电流(10/1000µs)16 A
栅极触发电压 Vgt (最大)- 12 V, + 16 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)59 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds740pF @ 12.5V连续漏极电流(Id)@ 25°C16A (Ta), 59A (Tc)

机械参数

宽度5.75重量0.0001
包装方式Reel端接方式:SMD
安装类型Surface Mount安装样式SMD/SMT
引脚数:8封装形式8SON EP
冷却的封装SON EP材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
总长度4.9包装数量SON EP
位数8外壳尺寸-插件1
供应商器件封装8-SON (5x6)

产品信息

类型Power MOSFET系列CSD16410Q5A
已删除Compliant极性N
软件SLPS205A通道类型Enhancement
配置Single Quad Drain Triple Source图案编号Y
使用的IC/零件View其他规格1.1
印刷电路板数量8

环境参数

机械寿命New Technology: Cutting edge technology for the newest designs.测试温度-55 to 150
工作温度-55 to 150 °C

文档与媒体

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