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CSD16404Q5A
| 制造商 | Texas Instruments Incorporated |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON FET, N CH, SINGLE, 25V, 8SON N-Channel NexFET™ Power MOSFET MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs |
| 分类 |
商业参数
| 其他名称 | 296-24250-2 | 标准包装数量 | Tape & Reel |
合规参数
| RoHS | Contains lead / RoHS compliant by exemption | SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85423190 |
| 零件状态 | ACTIVE | 抗辐射加固 | No |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | 16 V |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 3W |
| 噪声系数 | Not Required dB | 额定功率 | 3 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB | 下降时间（典型） | 4.6 ns |
| 最大频率 | Not Required MHz | 晶体管类型 | :N Channel |
| 首抽头延迟 | 8.4 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.1V @ 250µA | 击穿电压 | 25 V |
| 阈值电压 | :1.8V | 最大额定电流 | :81A |
| 导通电阻 RDS(On) | :4.1mohm | 触点电压（最大） | :25V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 5.1@10V mOhm | 最大功耗 | :3W |
| 传播延迟（最大） | 13.4 ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 25 V |
| 漏电流（最大） | 21 A | 逻辑电压 - VIL, VIH | Yes |
| 导通电阻（最大） | 0.0051 ohm | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
| 峰值脉冲电流（8/20µs） | 135 | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 7.8 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % | 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 21 A | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 21 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1220pF @ 12.5V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 21A (Ta), 81A (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 5.75 | 重量 | 0.0001 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 端接方式 | :SMD |
| 安装类型 | Surface Mount | 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8SON EP | 冷却的封装 | SON EP |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 4.9 |
| 包装数量 | SON EP | 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1 | 供应商器件封装 | 8-SON (5x6) |
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 已删除 | Compliant |
| 极性 | N | 软件 | SLPS198B |
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
| 图案编号 | Y | 使用的IC/零件 | View |
| 其他规格 | 1.7 | 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 测试温度 | -55 to 150 | 工作温度 | -55 to 150 °C |
文档与媒体
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