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CSD16401Q5
| 制造商 | Texas Instruments Incorporated |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 25V 38A 8-Pin SON EP T/R MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs FET, N CH, SINGLE, 25V, 8SON N-Channel NexFET™ Power MOSFET Texas Instruments , N沟道 MOSFET 晶体管, 100 A, Vds=25 V, 8针 SON封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 商标名 | NexFET | 其他名称 | 296-24525-2 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 2500 | 标准封装名称 | SON |
合规参数
| RoHS | Contains lead / RoHS compliant by exemption | SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85423190 |
| 零件状态 | ACTIVE | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 12.7 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 3.1W | 额定功率 | 3.1 W |
| 下降时间（典型） | 12.7 ns | 上升时间（典型） | 30 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 20 ns |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 1.9V @ 250µA |
| 击穿电压 | 25 V | 阈值电压 | :1.5V |
| 最大额定电流 | :100A | 导通电阻 RDS(On) | :1.3mohm |
| 触点电压（最大） | :25V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1.6@10V mOhm |
| 最大功耗 | :3.1W | 传播延迟（最大） | 30 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 25 V | 逻辑电压 - VIL, VIH | Yes |
| 导通电阻（最大） | 1.6@10V | 电流传输比（最小） | 168 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 29nC @ 4.5V | 峰值脉冲电流（8/20µs） | 240 |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 16.6 ns | 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 38 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 12 V, + 16 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 100 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 4100pF @ 12.5V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 38A (Ta), 100A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 6.1(Max) | 重量 | 0.0001 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 端接方式 | :SMD |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :8 | 封装形式 | 8SON EP |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 5.1(Max) |
| 包装数量 | SON EP | 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.05(Max) | 供应商器件封装 | 8-SON |
产品信息
| 系列 | CSD16401Q5 | 软件 | SLPS200A |
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 图案编号 | Y | 使用的IC/零件 | View |
| 其他规格 | 5.2 | 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 测试温度 | -55 to 150 | 工作温度 | -55 to 150 °C |
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