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BSZ035N03LS G
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET 30.0V3.5mOhm 5.7mOhm N CHANNEL MOSFET MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 MOSFET N-Channel 30V 40A TSDSON8 MOSFET, N CH, 53A, 30V, PG-TSDSON-8 MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
| 分类 |
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商业参数
| 商标名 | OptiMOS | 其他名称 | BSZ035N03LSGINCT |
| 零件号别名 | BSZ035N03LSGATMA1 BSZ035N03LSGXT SP000278809 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 5,000 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 5 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 69W | 额定功率 | 2.1 W |
| 上升时间（典型） | 5.4 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 30 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA | 击穿电压 | 30 V |
| 阈值电压 | :1V | 最大额定电流 | :40A |
| 导通电阻 RDS(On) | :2.9mohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.0035 Ohms |
| 最大功耗 | 69 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 5.7 mΩ | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 56nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 7.8 ns | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 40 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 40 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 4400pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 20A (Ta), 40A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 3.4mm | 高度 | 1.1mm |
| 长度 | 3.4mm | 重量 | 0.002 |
| 包装方式 | Reel | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | TSDSON-8 | 冷却的封装 | PG-TSDSON-8 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 尺寸/外形 | 3.4 x 3.4 x 1.1mm |
| 位数 | 8 | 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
产品信息
| 系列 | BSZ035N03 | 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | DC/DC Converter, SMPS | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||
