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IRFHM830DTRPBF
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN MOSFET MOSFT 30V 40A 4.3mOhm 1.1Ohm RG |
| 分类 |
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商业参数
| 工厂包装数量 | 4000 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 6.7 ns | 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| 栅极电荷 | 13 nC | 上升时间（典型） | 20 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 9.1 ns |
| 通道数量 | 1 Channel | Vgs(th)（最大）@ Id | 1.8 V |
| 平均正向功率 | 2.8 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 5.7 mOhms | 电流传输比（最小） | 69 S |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 9.8 ns | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 20 A |
机械参数
| 高度 | 1.05 mm | 长度 | 3.3 mm |
| 包装方式 | Reel | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | PQFN-8 | ||
产品信息
| 技术 | Si | 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | Infineon / IR | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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