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IRFHM830TRPBF
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms |
| 分类 |
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商业参数
| 工厂包装数量 | 4000 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 9.2 ns | 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| 栅极电荷 | 31 nC | 上升时间（典型） | 25 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 13 ns |
| 通道数量 | 1 Channel | Vgs(th)（最大）@ Id | 1.8 V |
| 平均正向功率 | 2.7 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 4.8 mOhms | 电流传输比（最小） | 52 S |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 12 ns | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 21 A |
机械参数
| 高度 | 1.05 mm | 长度 | 3.3 mm |
| 包装方式 | Reel | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | PQFN-8 | ||
产品信息
| 类型 | HEXFET Power MOSFET | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Infineon Technologies |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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