SSM6N15 transistor 系列
低功率电子电路用小信号N沟道MOSFET
东芝生产的SSM6N15是一款小信号N沟道MOSFET,专为低功耗应用设计。这些晶体管常用于需要精确控制和高效切换的电路中,例如音频放大器、射频开关以及低功耗逻辑电路。如果您正在从事涉及高频信号或低压操作的任何项目,这些晶体管会非常实用。
值得注意的一点是,它们具有出色的线性和低噪声特性,使其非常适合需要最小化失真的音频应用。当工程师需要一个对信号质量影响最小的可靠开关时,往往会选用这种晶体管。此外,它们紧凑的尺寸和低功耗意味着可以在空间受限的设计中轻松集成而不影响性能。
另一个实际优点是它们在各种工作条件下的鲁棒性。它们能够有效处理低频和高频信号,因此适用于广泛的应用领域。无论是处理敏感的模拟信号还是快速的数字脉冲,SSM6N15都能轻松应对。
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SSM6N15 transistor - 型号列表
共 8 个型号| 制造商零件编号 | 库存 | 价格 | 产品类别 | 标准包装数量 | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic | 包装方式 | 安装类型 | 封装形式 | 其他名称 | 工厂包装数量 | RoHS | FET类型 | 最大栅源电压 Vgs | FET特性 | 最大功率 | 额定功率 | 晶体管类型 | 通道数量 | Vgs(th)(最大)@ Id | 平均正向功率 | 导通电阻(最大) | 漏源电压(Vdss) | 漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0) | 输入电容(Ciss)(最大)@ Vds | 连续漏极电流(Id)@ 25°C | 高度 | 长度 | 安装样式 | 供应商器件封装 | 系列 | 技术 | 制造商全称 | 元件数量 | 击穿电压 | 峰值脉冲电流(10/1000µs) | 栅极触发电压 Vgt (最大) | 位数 | 通道类型 | 工作温度 | 产品 | 标准封装名称 | 欧盟RoHS | 最大功耗 | 引脚样式 | 包装数量 | 配置 | 抗辐射加固 | 冷却的封装 | 类型 | 极性 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 6-Pin ES T/R MOSFET N-CH DUAL 30V 0.1A ES6 MOSFET Dual N-ch 30V 0.1A toshiba | 3849 | 1: ¥3.196 | MOSFET | Tape & Reel | 4000@4V mOhm | 30 V | Tape and Reel | Surface Mount | 6ES | SSM6N15FE(TE85LF)CT | 4000 | Lead free / RoHS Compliant | 2 N-Channel (Dual) | ±20 V | Logic Level Gate | 150mW | 150 mW | N-Channel | 2 Channel | 1.5V @ 100µA | 150 mW | 4 Ohms | 30V | 0.1 A | 7.8pF @ 3V | 100mA | 0.55 mm | 1.6 mm | SMD/SMT | ES6 (1.6x1.6) | SSM6N15 | Si | Toshiba | 2 | 30 V | 0.1 A | +/- 20 V | 6 | Enhancement | -55 to 150 °C | MOSFET Small Signal | EMT | Compliant | 150 | Flat | ES | Dual | - | - | - | - |
| 0 | - | Tape & Reel | 4000@4V mOhm | 30 V | Tape and Reel | Surface Mount | 6US | - | - | - | - | ±20 V | - | - | 0.2 W | - | - | - | - | - | - | 0.1 A | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 2 | 30 V | 0.1 A | - | 6 | Enhancement | -55 to 150 °C | - | - | - | - | - | - | - | No | US | Small Signal | N | ||
SIMILAR TO SSM6N15AFE,LM(A BUT MOSFET N CH 30V 100MA 2-2J1C MOSFET SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS Toshiba | 968 | 5: ¥0.6293 | - | 3,000 | 3.6 Ohm @ 10mA, 4V | 30 V | Tape & Reel (TR) | Surface Mount | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SSM6N15AFULFCT | 3000 | Lead free / RoHS Compliant | 2 N-Channel (Dual) | 20 V | Logic Level Gate | 300mW | 300 mW | N-Channel | 2 Channel | 1.5V @ 100µA | 300 mW | 3.6 Ohms | 30V | 100 mA | 13.5pF @ 3V | 100mA | 0.9 mm | 2 mm | SMD/SMT | US6 | SSM6N15 | Si | Toshiba | - | - | - | 20 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
X34 PB-F ES6 NCHX2 (LF) S-MOS MOSF N CH 30V 100MA ES6 MOSFET 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD Toshiba | 820 | 5: ¥0.9847 | MOSFET | 4,000 | 3.6 Ohm @ 10mA, 4V | 30 V | Tape & Reel (TR) | Surface Mount | SOT-563, SOT-666 | SSM6N15AFELMCT | 4000 | Lead free / RoHS Compliant | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | - | Logic Level Gate | 150mW | - | N-Channel | 2 Channel | 1.5V @ 100µA | 150 mW | 3.6 Ohms | 30V | - | 13.5pF @ 3V | 100mA (Ta) | 0.55 mm | 1.6 mm | SMD/SMT | ES6 | SSM6N15 | Si | Toshiba | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
TOSHIBA | 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
TOSHIBA | 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
TOSHIBA | 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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