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SSM6N15FE(TE85L,F)
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 6-Pin ES T/R MOSFET N-CH DUAL 30V 0.1A ES6 MOSFET Dual N-ch 30V 0.1A |
| 分类 |
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商业参数
| 产品 | MOSFET Small Signal | 其他名称 | SSM6N15FE(TE85LF)CT |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 4000 | 标准封装名称 | EMT |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 150mW |
| 额定功率 | 150 mW | 晶体管类型 | N-Channel |
| 通道数量 | 2 Channel | 元件数量 | 2 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.5V @ 100µA | 击穿电压 | 30 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 4000@4V mOhm | 平均正向功率 | 150 mW |
| 最大功耗 | 150 | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 4 Ohms | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.1 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.1 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 7.8pF @ 3V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 100mA | ||
机械参数
| 高度 | 0.55 mm | 长度 | 1.6 mm |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Flat |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 6ES | 包装数量 | ES |
| 位数 | 6 | 供应商器件封装 | ES6 (1.6x1.6) |
产品信息
| 系列 | SSM6N15 | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Toshiba |
| 配置 | Dual | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||