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SSM6N15AFE,LM
| 制造商 | |
| 描述 | X34 PB-F ES6 NCHX2 (LF) S-MOS MOSF N CH 30V 100MA ES6 MOSFET 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | SSM6N15AFELMCT | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 4,000 | 工厂包装数量 | 4000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 150mW | 晶体管类型 | N-Channel |
| 通道数量 | 2 Channel | Vgs(th)（最大）@ Id | 1.5V @ 100µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 10mA, 4V | 平均正向功率 | 150 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 导通电阻（最大） | 3.6 Ohms |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 13.5pF @ 3V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 100mA (Ta) | ||
机械参数
| 高度 | 0.55 mm | 长度 | 1.6 mm |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | SOT-563, SOT-666 |
| 供应商器件封装 | ES6 | ||
产品信息
| 系列 | SSM6N15 | 技术 | Si |
| 制造商全称 | Toshiba | ||