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SI9426DY

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SI9426DY

制造商
描述
MOSFET 20V 6A 2W Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N
分类
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商业参数

最小起订量1单位包装0
工厂包装数量100标准封装名称SOIC

合规参数

RoHSNo欧盟RoHSNot Compliant

电气参数

下降时间55 ns最大栅源电压 Vgs±8
额定功率2.5 W上升时间(典型)110 ns
晶体管类型N-Channel首抽头延迟150 ns
元件数量1击穿电压20
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs13.5 mOhms最大功耗2500
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic20 V导通电阻(最大)13.5@4.5V
峰值脉冲电流(10/1000µs)10栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 8 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)10 A

机械参数

引脚样式Gull-wing安装样式SMD/SMT
封装形式SOIC-8 Narrow包装数量SOIC N
位数8

产品信息

通道类型Enhancement配置Single

环境参数

机械寿命Obsolete工作温度+ 150 C