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SI4100DY-T1-GE3
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET 100V 6.8A 6.0W 63mohm @ 10V Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC MOSFET, N-CH, 100V, 6.8A, SO8 Vishay , N沟道 MOSFET, 6.8 A, Vds=100 V, 8针 SOIC封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 2500 | 单位包装 | 2500 |
| 其他名称 | SI4100DY-T1-GE3CT | 零件号别名 | SI4100DY-GE3 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 2,500 |
| 工厂包装数量 | 2500 | 标准封装名称 | SOIC |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | :10V |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 6W |
| 额定功率 | 2.5 W | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 12 ns, 15 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 250µA | 击穿电压 | 100 |
| 阈值电压 | :2V | 最大额定电流 | :6.8A |
| 导通电阻 RDS(On) | :51mohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.063 Ohms |
| 最大功耗 | :6W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 100 V |
| 导通电阻（最大） | 63@10V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 20nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 4.4 |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 4.4 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 600pF @ 50V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 4.4A (Ta), 6.8A (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 4(Max) | 重量 | 0.0005 |
| 包装方式 | Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :8 | 封装形式 | SOIC-8 Narrow |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 5(Max) |
| 包装数量 | SOIC N | 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.55(Max) | 供应商器件封装 | 8-SO |
产品信息
| 通道类型 | N | 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 8 | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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