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SI7370DP-T1-E3
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 60V 9.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC MOSFET; Power (N-CH); N-Channel; 0.009 Ohms (Typ.); 0.0105 Ohms (Typ.); 50 A MOSFET, N, POWERPAK MOSFET,Power;N-Ch;VDSS60V;RDS(ON)0.009Ohm;ID9.6A;PowerPAKSO-8;PD1.9W;-55de MOSFET 60V 15.8A 0.011Ohm |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 1 | 单位包装 | 0 |
| 其他名称 | SI7370DP-T1-E3CT | 标准包装数量 | Tape & Reel |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 1.9W |
| 开通延迟时间 | 16ns | 下降时间（典型） | 30 ns |
| 晶体管类型 | :N Channel | 关断延迟时间 | 50ns |
| 首抽头延迟 | 50 ns | 供电电压 | 0.75V |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 60 V | 阈值电压 | :4V |
| 最大额定电流 | :15.8A | 导通电阻 RDS(On) | :11mohm |
| 触点电压（最大） | :60V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 11@10V mOhm |
| 最大功耗 | :1.9W | 传播延迟（最大） | 12 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60V | 导通电阻（最大） | 0.009Ohm |
| 电流传输比（最大） | 50S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 57nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 16 ns | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 9.6 A | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 9.6A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 9.6A (Ta) | ||
机械参数
| 宽度 | 5.89 | 重量 | 0.0001 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | No Lead |
| 端接方式 | :SMD | 极化 | N-Channel |
| 安装类型 | Surface Mount | 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8PowerPAK SO | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 总长度 | 4.9 | 包装数量 | PowerPAK SO |
| 位数 | 8 | 外壳尺寸-插件 | 1.04 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | ||
产品信息
| 通道类型 | Enhancement | 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | 结工作温度 | +150°C |
文档与媒体
PDF 文档
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