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SI4840BDY-T1-GE3
| 制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-Pin SOIC N T/R N-CH 40V 19A 9mOhm SO-8 MOSFET N-CH D-S 40V 8SOIC MOSFET 40V 19A 6.0W 9.0mohm @ 10V MOSFET, N CH, 40V, 0.0074OHM, 19A, SOIC Vishay , N沟道 MOSFET, 10 A, Vds=40 V, 8针 SOIC封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 1 | 单位包装 | 2500 |
| 其他名称 | SI4840BDY-T1-GE3CT | 零件号别名 | SI4840BDY-GE3 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 2500 | 标准封装名称 | SOIC |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 | 汽车级 | NO |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 10 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | 逻辑类型 | YES |
| FET特性 | Standard | 栅极电荷 | 50 nC |
| 最大功率 | 6W | 额定功率 | 6 W |
| 下降时间（典型） | 10 ns | 上升时间（典型） | 12 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 25|30 ns |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 击穿电压 | 40 V | 阈值电压 | :1V |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.0074ohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 9@10V mOhm |
| 最大功耗 | :6W | 传播延迟（最大） | 12|15 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 40 V | 每端口功率（瓦） | 6W |
| 导通电阻（最大） | 9@10V | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 40V |
| 电流传输比（最小） | 56 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 50nC |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 25|10 ns | 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 12.4 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 19A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2000pF @ 20V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 12.4A (Ta), 19A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 4(Max) | 重量 | 0.001 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :8 | 封装形式 | 8SOIC N |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 5(Max) |
| 包装数量 | SOIC N | 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.55(Max) | 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
产品信息
| 匹配码 | SI4840BDY-T1-GE3 | 技术 | TrenchFET |
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
| 标准交期 | 15 weeks | 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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