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SI4816BDY-T1-GE3
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R MOSFET DL N-CH 30V 6.8A 8-SOIC MOSFET, NN CH, 30V, 8SOIC MOSFET Dua lN-Ch w/Schottky 30V 18.5/11.5mohm |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | SI4816BDY-T1-GE3CT | 标准包装数量 | Tape & Reel |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) | 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 1W, 1.25W |
| 下降时间（典型） | 9@Channel 1|11@Channel 2 ns | 晶体管类型 | :Dual N Channel |
| 首抽头延迟 | 24@Channel 1|31@Channel 2 ns | 元件数量 | 2 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 250µA | 击穿电压 | 30 V |
| 阈值电压 | :3V | 导通电阻 RDS(On) | :0.0155ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 18.5@10V@Channel 1|11.5@10V@Channel 2 mOhm | 最大功耗 | :1W |
| 传播延迟（最大） | 9 ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10nC @ 5V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 11@Channel 1|13@Channel 2 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 5.8@Channel 1|8.2@Channel 2 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 5.8/8.2 A | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 5.8A, 8.2A |
机械参数
| 重量 | 0.0005 | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount | 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8SOIC N | 冷却的封装 | SOIC N |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 位数 | 8 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N | ||
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 极性 | N |
| 通道类型 | Enhancement | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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