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SI2319DS-T1-E3
| 制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. |
| 描述 | Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R P-CHANNEL-FET 3,0A 40V SOT23 MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 SI2319DS-T1-E3, P-channel MOSFET Transistor 2.3A 40V, 3-Pin SOT-23, TO-236 P CHANNEL MOSFET, -40V, 3A, TO-236, FULL REEL MOSFET,P CH,40V,2.3A,SOT23-3 TRANSMOSFETP-CH40V2.3A3-PINSOT-23T/R MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | SI2319DS-T1-E3CT | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 标准封装名称 | SOT-23 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412100 | 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 750mW |
| 噪声系数 | Not Required dB | 额定功率 | 0.75 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB | 最大频率 | Not Required MHz |
| 晶体管类型 | :P Channel | 首抽头延迟 | 25 ns |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 击穿电压 | 40 V | 阈值电压 | :-3V |
| 最大额定电流 | :-2.3A | 导通电阻 RDS(On) | :130mohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 82@10V mOhm | 最大功耗 | 0.75 W |
| 传播延迟（最大） | 15 ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 40 V |
| 漏电流（最大） | 2.3 A | 每端口功率（瓦） | 0.75W |
| 导通电阻（最大） | 0.082 Ω | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 40V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 17nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 7 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % | 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 2.3 A | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 3A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 470pF @ 20V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2.3A (Ta) |
机械参数
| 宽度 | 1.4mm | 高度 | 1.02mm |
| 长度 | 3.04mm | 重量 | 0 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3SOT-23 | 冷却的封装 | SOT-23, TO-236 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 3.04(Max) |
| 包装数量 | SOT-23 | 尺寸/外形 | 3.04 x 1.4 x 1.02mm |
| 位数 | 3 | 外壳尺寸-插件 | 1.02(Max) |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) | ||
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 已删除 | Compliant |
| 极性 | P-CHANNEL | 匹配码 | SI2319DS |
| 通道类型 | P | 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single | 标准交期 | 17 weeks |
| 印刷电路板数量 | 3 | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
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