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SI1555DL-T1-E3
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.66A/0.57A 6-Pin SC-70 T/R MOSFET N/P-CH 20/8V SC70-6 MOSFET 20/8 0.7/0.6 MOSFET, NP CH, 20/8V, 6SC-70 MOSFET;20VN-CH,8VP-CHCOMPPAIR |
| 分类 |
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商业参数
| 商标名 | TrenchFET | 其他名称 | SI1555DL-T1-E3CT |
| 零件号别名 | SI1555DL-E3 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | SOT-323 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 | ||
电气参数
| FET类型 | N and P-Channel | 下降时间 | 16 ns at N Channel, 25 ns at P Channel |
| 最大栅源电压 Vgs | ±12@N Channel|±8@P Channel V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 270mW | 额定功率 | 270 mW |
| 上升时间（典型） | 16 ns at N Channel, 25 ns at P Channel | 晶体管类型 | N and P-Channel |
| 首抽头延迟 | 10 ns | 元件数量 | 2 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.4V @ 250µA | 击穿电压 | 20@N Channel|8@P Channel V |
| 阈值电压 | :600mV | 导通电阻 RDS(On) | :0.32ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 385@4.5V@N Channel|600@4.5V@P Channel mOhm | 最大功耗 | :270mW |
| 传播延迟（最大） | 16@N Channel|25@P Channel ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | + 20 V, - 8 V |
| 导通电阻（最大） | 385@4.5V@N Channel|600@4.5V@P Cha... | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 10@N Channel|6@P Channel ns | 漏源电压（Vdss） | 20V, 8V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.66@N Channel|0.57@P Channel A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 12 V, +/- 8 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.7 A, 0.6 A | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 660mA, 570mA |
机械参数
| 重量 | 0.009 | 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :6 |
| 封装形式 | 6SC-70 | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 包装数量 | SC-70 | 位数 | 6 |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 (SOT-363) | ||
产品信息
| 通道类型 | N|P | 配置 | Dual |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||