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K817P9

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K817P9

制造商
描述
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin DIL Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR 200-400% DIP-4 CPL SNGL 200-400% CTR OPTO COUPLER OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP
分类
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商业参数

最小起订量4000单位包装100
产品类别Transistor Output Optocouplers标准包装数量Rail / Tube
工厂包装数量5000标准封装名称DIP

合规参数

RoHSRoHS Compliant欧盟RoHSCompliant
海关税号85414090认证机构:CSA, UL

电气参数

输出端NPN Phototransistor电流:5mA
输入类型DC输出类型DC
额定电压:70V上升时间(典型)3 us
输出隔离:Phototransistor供电电压:70V
通道数量1LED正向电流60 mA
LED正向电压1.25 V隔离电压5000 Vrms
Vce饱和电压(最大)300mV最小输入电压70 V
上升/下降时间(典型)3µs, 4.7µs输出电压(最大)70V
最大功耗200 mW电压负载调整率6 V
输入偏置电流(最大)60 mA输出电流/通道50mA
电流传输比(最大)400 %电流传输比(最小)400 %
开关时间(Ton, Toff)(最大):4.7µs开通/关断时间(典型值)6µs, 5µs
集电极电流(Ic)(最大)50 mA直流正向电流(If)(最大)60mA
反向关断电压(典型)6 V最大传播延迟 @ V, 最大CL4.7 us
正向电压(最大)@ If1.6 V

机械参数

深度:7.62mm宽度:4.75mm
长度:4.4mm重量0.00025
包装方式Tube引脚样式Through Hole
引脚间距:2.54mm柱间距:9mm
安装类型Through Hole引脚数:4
光学材料(应为封装材料):DIP封装形式4DIL
总长度4.75(Max)包装数量DIL
位数4外壳尺寸-插件3.6
供应商器件封装4-DIP

产品信息

系列*印刷电路板数量4

环境参数

工作温度-40 to 100 °C

文档与媒体

PDF 文档