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BPW85
| 制造商 | |
| 描述 | Phototransistor Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1 Phototransistors NPN Phototransistor 70V 100mW 850nm PHOTOTRANSISTOR NPN 3MM CLEAR PHOTOTRANSISTOR, T1 TRANSISTOR, PHOTO, NPN, 850NM, T-1 3mmPhototransistorIR850nm Vishay 红外+可见光 光电晶体管 , ±25 °半感光角度, 450 → 1080 nm, 3mm (T-1) 封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 产品 | Phototransistors | 其他名称 | 751-1023 |
| 产品类别 | Phototransistors | 标准包装数量 | Bulk, Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 5000 | 标准封装名称 | T-1 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85414090 | ||
电气参数
| 下降时间 | 2.3 us | 波长 | 850 nm |
| 最大功率 | 150mW | 灵敏度 | :4.0@1 |
| 感应角度 | 50 ° | 视角 | Top View |
| 上升时间（典型） | 2 us | 晶体管类型 | Phototransistor |
| 供电电压 | 70 V | 峰值波长 | 850 nm |
| 通道数量 | 1 | 暗电流（最大） | 200 nA |
| 暗电流（典型值） | :50mA | Vce饱和电压（最大） | 0.3 V |
| 最小输入电压 | 5 V | 平均正向功率 | :100mW |
| 最大功耗 | 100 mW | 暗电流 Id（最大） | 200nA |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | :5V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | :1.5µs |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 50 mA | ||
机械参数
| 重量 | 0.0005 | 包装方式 | Bulk |
| 引脚样式 | Through Hole | 透镜颜色 | Clear |
| 透镜样式 | Domed | 方向 | Top View |
| 引脚间距 | :2.54mm | 透镜尺寸（因值为长宽高，非直径） | 3 mm |
| 安装类型 | Through Hole | 引脚数 | :2 |
| 封装形式 | 2T-1 | 包装数量 | T-1 |
| 外径 | 3.4 | 位数 | 2 |
| 外壳尺寸-插件 | 4.5 | ||
产品信息
| 类型 | Chip | 极性 | NPN |
| 印刷电路板数量 | 2 | ||
环境参数
| 工作温度 | + 100 C | ||
文档与媒体
PDF 文档
