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GT30J121(Q)
| 制造商 | |
| 描述 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN IGBT 600V 30A 170W TO3PN IGBT Transistors 600V/30A DIS |
| 分类 |
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商业参数
| 产品类别 | IGBT Transistors | 标准包装数量 | Bulk |
| 工厂包装数量 | 50 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | 输入类型 | Standard |
| 最大功率 | 170W | 开关能量 | 1mJ (on), 800µJ (off) |
| 供电电压 | 600V | Td（开/关）@ 25°C | 90ns/300ns |
| 最小输入电压 | 600 V | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 30A |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 30A | 集电极截止电流（最大） | 30 A |
| 集电极脉冲电流 (Icm) | 60A | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 30 A |
机械参数
| 宽度 | 4.8 mm | 高度 | 19 mm |
| 长度 | 15.9 mm | 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole | 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | 3TO-3PN | 供应商器件封装 | TO-3P(N) |
产品信息
| 能量 | 1mJ (on), 800µJ (off) | 系列 | GT30J121 |
| 技术 | Si | 制造商全称 | Toshiba |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 测试条件 | 300V, 30A, 24 Ohm | 工作温度 | - 55 C |
文档与媒体
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