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CSD75205W1015
| 制造商 | Texas Instruments Incorporated |
| 描述 | Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 6-Pin DSBGA T/R MOSFET PCH -20V -1.2A 6DSBGA MOSFET Dual PCh NexFET Pwr MOSFET MOSFET, PP CH, 20V, 1.2A, 6DSBGA |
| 分类 |
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商业参数
| 商标名 | NexFET | 其他名称 | 296-25335-2 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 | 标准封装名称 | BGA |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | 2 P-Channel (Dual) | 下降时间 | 17 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | -6 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 1.6 nC | 最大功率 | 750mW |
| 额定功率 | 0.75 W | 下降时间（典型） | 17 ns |
| 上升时间（典型） | 5.3 ns | 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 32 ns | 元件数量 | 2 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 850mV @ 250µA | 击穿电压 | 20 V |
| 阈值电压 | :-650mV | 导通电阻 RDS(On) | :0.095ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 145@2.5V mOhm | 最大功耗 | :750mW |
| 传播延迟（最大） | 5.3 ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 20 V |
| 导通电阻（最大） | :0.145ohm | 电流传输比（最小） | 5 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 2.2nC @ 4.5V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 6.3 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 1.2 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 6 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | - 1.2 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 265pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 1.2A |
机械参数
| 宽度 | 1.8 | 重量 | 0.0002 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Ball |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :6 | 封装形式 | 6DSBGA |
| 冷却的封装 | DSBGA | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 总长度 | 1.3 | 包装数量 | DSBGA |
| 位数 | 6 | 外壳尺寸-插件 | 0.65 |
| 供应商器件封装 | 6-DSBGA (1x1.5) | ||
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 系列 | CSD75205W1015 |
| 极性 | P | 通道类型 | P |
| 配置 | Dual | 模块/板类型 | :Dual P Channel |
| 印刷电路板数量 | 6 | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档