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CSD25201W15
| 制造商 | Texas Instruments Incorporated |
| 描述 | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 9-Pin Wafer T/R MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA MOSFET P-Channel NexFET Pwr MOSFET MOSFET, P CH, 20V, 4A, 9DSBGA |
| 分类 |
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商业参数
| 商标名 | NexFET | 其他名称 | 296-27609-2 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 | 标准封装名称 | Wafer |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 欧盟RoHS | Supplier Unconfirmed | 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 38 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | -6 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 4.3 nC | 最大功率 | 1.5W |
| 额定功率 | 1.5 W | 下降时间（典型） | 38 ns |
| 上升时间（典型） | 11 ns | 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 51 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.1V @ 250µA | 击穿电压 | 20 V |
| 阈值电压 | :-700mV | 导通电阻 RDS(On) | :0.033ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 40@4.5V mOhm | 最大功耗 | :1.5W |
| 传播延迟（最大） | 11 ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 20 V |
| 导通电阻（最大） | 40@4.5V | 电流传输比（最小） | 12 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5.6nC @ 4.5V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 9.5 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 4 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 6 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 4 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 510pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 4A (Ta) |
机械参数
| 宽度 | 1.5 | 重量 | 0.00027 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :9 |
| 封装形式 | 9Wafer | 冷却的封装 | Wafer |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 1.5 |
| 包装数量 | Wafer | 位数 | 9 |
| 外壳尺寸-插件 | 0.35 | 供应商器件封装 | 9-DSBGA |
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 系列 | CSD25201W15 |
| 极性 | P | 通道类型 | P |
| 配置 | Single | 印刷电路板数量 | 9 |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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