点击放大查看
STW20NM60
| 制造商 | STMicroelectronics N.V. |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp MOSFET, N CH, 600V, 20A, TO-247 |
| 分类 |
商业参数
| 其他名称 | 497-3263-5 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Rail / Tube | 工厂包装数量 | 30 |
| 标准封装名称 | TO-247 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85423300 |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 11 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 192W | 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 192 W | 额定输出功率 | Not Required dB |
| 下降时间（典型） | 11 ns | 最大频率 | Not Required MHz |
| 上升时间（典型） | 20 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 42 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 250µA | 击穿电压 | 600 V |
| 阈值电压 | :4V | 最大额定电流 | :20A |
| 导通电阻 RDS(On) | :250mohm | 触点电压（最大） | :600V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 290@10V mOhm | 最大功耗 | :192W |
| 传播延迟（最大） | 20 ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 600 V |
| 漏电流（最大） | 20 A | 导通电阻（最大） | 0.29 ohm |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 54nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 25 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 20 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 20 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1500pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 20A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 5.15(Max) | 重量 | 0.0002 |
| 包装方式 | Tube | 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole | 端接方式 | :Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole | 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | 3TO-247 |
| 冷却的封装 | TO-247 | 材料表面处理 | :- |
| 总长度 | 15.75(Max) | 包装数量 | TO-247 |
| 位数 | 3 | 外壳尺寸-插件 | 20.15(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | ||
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 已删除 | Compliant |
| 极性 | N | 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single | 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 工作温度 | -65 to 150 °C | ||