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STS5PF30L

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STS5PF30L

制造商
描述
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R P-CH 30V 5A 55mOhm SO-8 MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC STS5PF30L, P-channel MOSFET Transistor 5A 30V, 8-Pin SO MOSFET P-Ch 30 Volt 5 Amp MOSFET,Power;P-Ch;VDSS30V;RDS(ON)0.045Ohm;ID5A;SO-8;PD2.5W;VGS+/-16V;gFS1 STMicroelectronics , P沟道 MOSFET, 5 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装
分类
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商业参数

最小起订量2500单位包装2500
其他名称497-3231-2产品类别MOSFET
标准包装数量Tape & Reel工厂包装数量2500
标准封装名称SOIC

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant
汽车级NO抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

FET类型MOSFET P-Channel, Metal Oxide下降时间35 ns
最大栅源电压 Vgs±16 V逻辑类型YES
FET特性Logic Level Gate最大功率2.5W
噪声系数Not Required dB额定功率2.5 W
额定输出功率Not Required dB开通延迟时间25ns
最大频率Not Required MHz上升时间(典型)35 ns
晶体管类型P-Channel关断延迟时间125ns
首抽头延迟125 ns供电电压1.2V
元件数量1Vgs(th)(最大)@ Id2.5V @ 250µA
击穿电压30 V导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs80@10V mOhm
最大功耗2.5 W传播延迟(最大)35 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 30 V漏电流(最大)5 A
每端口功率(瓦)2.5W导通电阻(最大)0.08 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)-30V电流传输比(最大)10S
电流传输比(最小)13 S栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs16nC
开关时间(Ton, Toff)(最大)25 nsVce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)30V峰值脉冲电流(10/1000µs)5 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 16 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)-5A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1350pF @ 25V连续漏极电流(Id)@ 25°C5A (Tc)

机械参数

宽度4mm高度1.25mm
长度5mm重量0.002998 oz
包装方式Tape and Reel引脚样式Gull-wing
极化P-Channel安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式8SO N
冷却的封装SO总长度5(Max)
包装数量SO N尺寸/外形5 x 4 x 1.25mm
位数8外壳尺寸-插件1.65(Max)
供应商器件封装8-SO

产品信息

类型Power MOSFET极性P
匹配码STS5PF30L技术StripFET
通道类型P卡标准Power MOSFET
配置Quad Drain, Single, Triple Source标准交期10 weeks
印刷电路板数量8

环境参数

工作温度-55 to 150 °C热阻 @ GPMn.s.K/W
结工作温度+150°C

文档与媒体

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