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STP75NF75
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube N-CH 75V 80A 11mOhm TO220-3 MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 STP75NF75, N-channel MOSFET Transistor 80A 75V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-Ch 75 Volt 80 Amp MOSFET, N, TO-220 STP75NF75 MOSFET N, 75 V 80 A 300 W TO-220, STP75NF75, ST STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET , 80 A, Vds=75 V, 3针 TO-220封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 50 | 单位包装 | 50 |
| 其他名称 | 497-2788-5 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Rail / Tube | 工厂包装数量 | 1000 |
| 标准封装名称 | TO-220 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 汽车级 | NO | 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 30 ns |
| 压摆率 | :12V/µs | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| 逻辑类型 | NO | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 300W | 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 300 W | 额定输出功率 | Not Required dB |
| 下降时间(典型) | 30 ns | 最大频率 | Not Required MHz |
| 上升时间(典型) | 100 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 66 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)(最大)@ Id | 4V @ 250µA | 击穿电压 | 75 V |
| 阈值电压 | :3V | 最大额定电流 | :80A |
| 导通电阻 RDS(On) | :11mohm | 触点电压(最大) | :75V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 11@10V mOhm | 最大功耗 | 300 W |
| 传播延迟(最大) | 100 ns | 集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic | 75 V |
| 漏电流(最大) | 80 A | 每端口功率(瓦) | 300W |
| 导通电阻(最大) | 0.011 Ω | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 75V |
| 电流传输比(最小) | 20 S | 栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 160nC |
| 峰值脉冲电流(8/20µs) | :320A | 开关时间(Ton, Toff)(最大) | 25 ns |
| Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic | Not Required % | 漏源电压(Vdss) | 75V |
| 截止电压(VGS off)@ Id | :10V | 峰值脉冲电流(10/1000µs) | 80 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0) | 80A |
| 输入电容(Ciss)(最大)@ Vds | 3700pF @ 25V | 连续漏极电流(Id)@ 25°C | 80A (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 4.6mm | 高度 | 9.15mm |
| 长度 | 10.4mm | 重量 | 0.050717 oz |
| 包装方式 | Tube | 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole | 端接方式 | :Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole | 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | 3TO-220 |
| 冷却的封装 | TO-220 | 材料表面处理 | :- |
| 总长度 | 10.4(Max) | 包装数量 | TO-220 |
| 尺寸/外形 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 9.15(Max) | 供应商器件封装 | TO-220AB |
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 极性 | N |
| 匹配码 | STP75NF75 | 技术 | STripFET |
| 通道类型 | Enhancement | 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single | 标准交期 | 10 weeks |
| 印刷电路板数量 | 3 | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 175 °C | 热阻 @ GPM | 0.5K/W |
| 结工作温度 | :175°C | ||
文档与媒体
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