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STN1HNK60
| 制造商 | STMicroelectronics N.V. |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R N-CHAN.-FET 0,4A 600V SOT223 MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223 STN1HNK60, N-channel MOSFET Transistor 0.4A 600V, 4-Pin SOT-223 MOSFET, N CH, 600V, 400MA, SOT223 MOSFETN0.4A600VSOT223 STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 400 mA, Vds=600 V, 3+Tab针 SOT-223封装 MOSFET 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 4000 | 单位包装 | 4000 |
| 其他名称 | 497-4668-2 | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 标准封装名称 | SOT-223 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±30 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 3.3W |
| 噪声系数 | Not Required dB | 额定功率 | 3.3 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB | 下降时间（典型） | 25 ns |
| 最大频率 | Not Required MHz | 晶体管类型 | :N Channel |
| 首抽头延迟 | 19 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3.7V @ 250µA | 击穿电压 | 600 V |
| 阈值电压 | :3V | 最大额定电流 | :400mA |
| 导通电阻 RDS(On) | :8ohm | 触点电压（最大） | :600V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 8500@10V mOhm | 最大功耗 | 3.3 W |
| 传播延迟（最大） | 5 ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 600 V |
| 漏电流（最大） | 0.4 A | 每端口功率（瓦） | 3.3W |
| 导通电阻（最大） | 8.5 Ω | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 600V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 6.5 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.4 A | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.4A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 156pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 400mA (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 3.5mm | 高度 | 1.8mm |
| 长度 | 6.5mm | 重量 | 0.0002 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 端接方式 | :SMD | 安装类型 | Surface Mount |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | 4SOT-223 |
| 冷却的封装 | SOT-223 | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 包装数量 | SOT-223 | 尺寸/外形 | 6.5 x 3.5 x 1.8mm |
| 位数 | 4 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 极性 | N-CHANNEL |
| 匹配码 | STN1HNK60 | 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET | 配置 | Dual Drain, Single |
| 标准交期 | 13 weeks | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||