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STGD6NC60HDT4
| 制造商 | |
| 描述 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R IGBT 600V 15A 1,9V TO252-3 IGBT 600V 15A 56W DPAK IGBT Transistors PowerMESH IGBT Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R IGBT Transistors PowerMESH" IGBT |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 2500 | 单位包装 | 2500 |
| 其他名称 | 497-5112-2 | 产品类别 | IGBT Transistors |
| 标准包装数量 | Cut Tape | 工厂包装数量 | 2500 |
| 标准封装名称 | DPAK | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | NO | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| 频率 | 5nS | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| 输入类型 | Standard | 栅极电荷 | 13.6nC |
| 最大功率 | 56W | 额定功率 | 50 W |
| 开关能量 | 88µJ | 供电电压 | 600V |
| 二极管配置 | YES | Td（开/关）@ 25°C | 76nS |
| Vce饱和电压（最大） | 1.9 V | 最小输入电压 | 600 V |
| 最大功耗 | 56000 | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 600V |
| 每端口功率（瓦） | 56W | 反向恢复时间（trr） | 21ns |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 100 nA | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 12nS |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 1.9V | 集电极电流（Ic）（最大） | 15A |
| 集电极截止电流（最大） | 15 A | 集电极脉冲电流 (Icm) | 21A |
机械参数
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 3DPAK | 包装数量 | DPAK |
| 位数 | 3 | 供应商器件封装 | D-Pak |
产品信息
| 匹配码 | STGD6NC60HDT4 | 技术 | PowerMESH |
| 通道类型 | N | 配置 | Single |
| 标准交期 | 10 weeks | ||
环境参数
| 测试条件 | 390V, 3A, 10 Ohm, 15V | 工作温度 | - 55 C |
文档与媒体
PDF 文档
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