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STD3NK50Z-1
| 制造商 | STMicroelectronics N.V. |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube MOSFET N-CH 500V 2.3A IPAK MOSFET N-Ch, 500V-3ohms Zener SuperMESH 2.3A MOSFET, N CH, 500V, 2.3A, IPAK |
| 分类 |
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商业参数
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 标准封装名称 | IPAK | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85423300 |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 14 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 45W | 额定功率 | 45 W |
| 下降时间（典型） | 14 ns | 上升时间（典型） | 13 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 24 ns |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 50µA |
| 击穿电压 | 500 V | 阈值电压 | :3.75V |
| 最大额定电流 | :2.3A | 导通电阻 RDS(On) | :2.8ohm |
| 触点电压（最大） | :500V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 3300@10V mOhm |
| 最大功耗 | :45W | 传播延迟（最大） | 13 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 500 V | 导通电阻（最大） | 3300@10V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 15nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 8 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 2.3 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 2.3 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 280pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2.3A (Tc) |
机械参数
| 重量 | 0.0002 | 包装方式 | Tube |
| 引脚样式 | Through Hole | 端接方式 | :Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole | 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | 3IPAK |
| 材料表面处理 | :- | 包装数量 | IPAK |
| 位数 | 3 | 供应商器件封装 | I-Pak |
产品信息
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||