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STB80NF03L-04T4
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | 497-7952-6 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | 工厂包装数量 | 1000 |
| 标准封装名称 | D2PAK | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 95 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 300W | 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 300 W | 额定输出功率 | Not Required dB |
| 下降时间（典型） | 95 ns | 最大频率 | Not Required MHz |
| 上升时间（典型） | 270 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 110 ns | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 击穿电压 | 30 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 4@10V mOhm |
| 平均正向功率 | 300 W | 最大功耗 | 300000 |
| 传播延迟（最大） | 270 ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 漏电流（最大） | 80 A | 导通电阻（最大） | 0.004 ohm |
| 电流传输比（最小） | 50 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 110nC @ 4.5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 30 ns | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 80 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 80 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 5500pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 80A (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 9.35(Max) | 高度 | 4.6 mm |
| 长度 | 10.4 mm | 包装方式 | Tape and Reel |
| 插片宽度 | Tab | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 3D2PAK | 冷却的封装 | D2PAK |
| 总长度 | 10.4(Max) | 包装数量 | D2PAK |
| 位数 | 3 | 外壳尺寸-插件 | 4.6(Max) |
| 供应商器件封装 | D2PAK | ||
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 系列 | N-channel STripFET |
| 极性 | N | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | STMicroelectronics |
| 配置 | Single | 印刷电路板数量 | 2 |
环境参数
| 工作温度 | -65 to 175 °C | ||