点击放大查看
STB11NK50ZT4
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R N-CH 500V 10A 520mOhm TO263-3 MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK MOSFET N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH MOSFET, N CH, 500V, 10A, D2PAK |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 最小起订量 | 1000 | 单位包装 | 1000 |
| 其他名称 | 497-2451-2 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | 工厂包装数量 | 1000 |
| 标准封装名称 | D2PAK | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 汽车级 | NO | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 15 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | 逻辑类型 | NO |
| FET特性 | Standard | 栅极电荷 | 49 nC |
| 最大功率 | 125W | 额定功率 | 125 W |
| 下降时间（典型） | 15 ns | 上升时间（典型） | 18 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 41 ns |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 100µA |
| 击穿电压 | 500 V | 阈值电压 | :3.75V |
| 最大额定电流 | :10A | 导通电阻 RDS(On) | :480mohm |
| 触点电压（最大） | :500V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 520@10V mOhm |
| 最大功耗 | :125W | 传播延迟（最大） | 18 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 500 V | 每端口功率（瓦） | 125W |
| 导通电阻（最大） | 520@10V | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 500V |
| 电流传输比（最小） | 77 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 68nC |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 14.5 ns | 漏源电压（Vdss） | 500V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 10 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 10A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1390pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 10A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 9.35(Max) | 重量 | 0.0002 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Gull-wing | 端接方式 | :SMD |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | 3D2PAK |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 10.4(Max) |
| 包装数量 | D2PAK | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 4.6(Max) | 供应商器件封装 | D2PAK |
产品信息
| 匹配码 | STB11NK50ZT4 | 技术 | SuperMESH |
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
| 标准交期 | 14 weeks | 印刷电路板数量 | 2 |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | 热阻 @ GPM | 1K/W |
文档与媒体
PDF 文档
PDF 文档
PDF 文档
PDF 文档