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合规参数
| 零件状态 | Active | 资质认证 | - |
电气参数
| FET类型 | N-Channel | 最大栅源电压 Vgs | +22V, -4V |
| FET特性 | - | Vgs(th)（最大）@ Id | 5.6V @ 3.33mA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 6.7A, 18V | 最大功耗 | 100W |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 38 nC @ 18 V | 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 460 pF @ 500 V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 21A (Tc) |
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | 供应商器件封装 | TO-263-7 |
产品信息
| 制造商 | Rohm Semiconductor | 等级 | - |
| 系列 | - | 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 基础产品编号 | SCT3120 | ||
环境参数
| 工作温度 | 175°C (TJ) | ||