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合规参数
| 零件状态 | Obsolete | 资质认证 | - |
电气参数
| FET类型 | P-Channel | 最大栅源电压 Vgs | ±20V |
| FET特性 | - | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 7A, 10V | 最大功耗 | 2W (Ta) |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 47.6 nC @ 5 V | 漏源电压（Vdss） | 45 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 4100 pF @ 10 V | 驱动电压（最大Rds On，最小Rds On） | 4V, 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 7A (Ta) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 供应商器件封装 | 8-SOP |
产品信息
| 制造商 | Rohm Semiconductor | 等级 | - |
| 系列 | - | 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
环境参数
| 工作温度 | 150°C | ||
文档与媒体
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