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合规参数
| 零件状态 | Active | 资质认证 | AEC-Q101 |
电气参数
| FET类型 | P-Channel | 最大栅源电压 Vgs | ±20V |
| FET特性 | - | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 100µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 5.3Ohm @ 230mA, 10V | 最大功耗 | 1W (Ta) |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 34 pF @ 30 V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 230mA (Ta) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | 3-XFDFN | 供应商器件封装 | DFN1010-3W |
产品信息
| 制造商 | Rohm Semiconductor | 等级 | Automotive |
| 系列 | - | 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基础产品编号 | BSS84 | ||
环境参数
| 工作温度 | 150°C (TJ) | ||