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商业参数
| 产品 | MOSFET Small Signal | 其他名称 | NTGS4111PT1GOSTR |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Cut Tape, Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 | 标准封装名称 | TSOP |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 15 ns, 9 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 630mW | 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 1.25 W | 额定输出功率 | Not Required dB |
| 开通延迟时间 | 9 ns | 下降时间（典型） | 22 ns |
| 最大频率 | Not Required MHz | 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 15 ns, 9 ns | 晶体管类型 | P-Channel |
| 关断延迟时间 | 38 ns | 首抽头延迟 | 28|38 ns |
| 供电电压 | 30 V | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | 输入电阻 | 110 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 250µA | 击穿电压 | 30 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 60@10V mOhm | 平均正向功率 | 1.25 W |
| 最大功耗 | 2 W | 传播延迟（最大） | 15|9 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 30 V | 漏电流（最大） | 3.7 A |
| 导通电阻（最大） | 110 mΩ | 电流传输比（最小） | 6 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 32nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 11|9 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 3.7 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | - 4.7 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 750pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2.6A (Ta) | ||
机械参数
| 宽度 | 1.7mm | 高度 | 1mm |
| 长度 | 3.1mm | 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | 6 |
| 封装形式 | 6TSOP | 冷却的封装 | TSOP |
| 总长度 | 3 | 包装数量 | TSOP |
| 尺寸/外形 | 3.1 x 1.7 x 1mm | 位数 | 6 |
| 外壳尺寸-插件 | 0.94 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 系列 | NTGS4111P |
| 功能 | Y | 极性 | P |
| 技术 | Si | 通道类型 | P |
| 制造商全称 | ON Semiconductor | 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain | 印刷电路板数量 | 6 |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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